[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201210055541.5
• 申請日: 2012-03-05
• 公開（公告）號: CN103035809B
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 樸東昱
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,董文國

相關申請的交叉引用

本申請要求在韓國知識產權局于2011年10月10日提交的韓國專利申請10-2011-0102986和于2011年10月12日提交的韓國專利申請10-2011-0104233的優先權，通過引用將其公開并入本文。

技術領域

實施方案涉及一種發光器件，其為具有提高的發光效率的倒裝芯片型并且在接合至發光器件封裝件時表現出穩定性和可靠性。

背景技術

發光二極管(LED)是發光器件的一個代表性實例，其使用化合物半導體的特性將電信號轉換為紅外光或可見光。這種LED用于家用器具、遙控器、電子布告板、顯示器以及各種其它自動化機器中。LED的應用范圍在逐漸增加。

總體上，微型LED制造為表面安裝器件以直接安裝在印刷電路板(PCB)上，因此正在將用作顯示器件的LED燈開發為表面安裝器件。表面安裝器件可以代替常規的簡單燈并用于多種彩色開關顯示器和字母/圖像顯示器中。

LED的增加的應用范圍需要用于家用燈和應急燈的更高的亮度，因此提高LED的亮度是重要的。

發明內容

實施方案提供了一種發光器件，其為具有提高的發光效率的倒裝芯片型并且在接合至發光器件封裝件時表現出穩定性和可靠性。

在一個實施方案中，發光器件包括：支撐構件；包括設置在支撐構件上的第一半導體層、第二半導體層以及設置在第一半導體層和第二半導體層之間的有源層的發光結構；設置在暴露出第一半導體層的第一區域中的在第一半導體層上的第一電極；設置在第二半導體層上的第二電極；以及至少設置在第一電極和發光結構之間的絕緣層；其中第一半導體層和第二半導體層是不同導電型的半導體層，有源層包括至少一對的阱層和勢壘層，并且阱層具有比勢壘層小的帶隙，其中第一電極的上表面的面積為第二半導體層的面積的40％～90％。

附圖說明

通過結合附圖的以下詳述將更清楚地理解實施方案的細節，附圖中：

圖1是示出根據一個實施方案的發光器件的平面圖；

圖2是沿圖1中所示的發光器件的線A-A′截取的截面圖；

圖3是示出根據另一實施方案的發光器件的截面圖；

圖4是示出其中常規發光器件以倒裝芯片方式接合至封裝件襯底的結構的截面圖；

圖5是示出其中根據實施方案的發光器件以倒裝芯片方式接合至封裝件襯底的結構的截面圖；

圖6是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖7是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖8是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖9是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖10是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖11是說明其中根據一個實施方案的發光器件以倒裝芯片方式接合至封裝件襯底的結構中的發光的圖；

圖12是示出根據一個替代實施方案的發光器件的底視圖；

圖13是圖12所示的發光器件的截面圖；

圖14是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖15是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖16是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖17是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖18是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖19是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖20是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖21是示出根據一個替代實施方案的發光器件的截面圖；

圖22是包括根據一個實施方案的發光器件的發光器件封裝件的截面圖；

圖23是示出包括根據一個實施方案的發光器件封裝件的照明裝置的立體圖；

圖24是沿圖23中所示的照明裝置的線C-C′截取的截面圖；

圖25是包括根據一個實施方案的發光器件的液晶顯示裝置的分解立體圖；和

圖26是包括根據一個實施方案的發光器件的液晶顯示裝置的分解立體圖。

具體實施方式