[發(fā)明專利]一種SRAM位線漏電流補(bǔ)償電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210052508.7 | 申請日： | 2012-03-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102592661A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 譚守標(biāo);吳秀龍;柏娜;李正平;孟堅(jiān);陳軍寧;徐超;高珊;李瑞興 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G11C11/413 | 分類號(hào)： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人： | 奚幼堅(jiān) |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 sram 漏電 補(bǔ)償 電路 | ||
1.一種SRAM位線漏電流補(bǔ)償電路，其特征是，該電路作為SRAM電路的輔助電路，設(shè)有兩個(gè)完全相同的補(bǔ)償電路，每個(gè)補(bǔ)償電路包括五個(gè)PMOS管P1~P5和六個(gè)NMOS管N1~N6；PMOS管P1~P5的源端均分別與各自的體端連接并連接電源電壓VDD，NMOS管N1~N6的體端均連接電源地VSS，NMOS管N1的源端、NMOS管N2的源端、NMOS管N6的源端均分別與各自的體端連接，?PMOS管P1的漏端連接NMOS管N1的漏端，PMOS管P1的柵端與PMOS管P2的柵端及漏端、PMOS管P3的漏端以及NMOS管N3的漏端連接在一起，PMOS管P3的柵端與PMOS管P4的柵端及漏端、PMOS管P5的柵端以及NMOS管N4的漏端連接在一起，PMOS管P5的漏端與NMOS管N1的柵端、NMOS管N2的柵端及漏端以及NMOS管N5的漏端連接在一起，NMOS管N5的源端與NMOS管N6的漏端、NMOS管N3的源端以及NMOS管N4的源端連接在一起，NMOS管N6的柵端與外接控制信號(hào)連接；一個(gè)補(bǔ)償電路中的NMOS管N4的柵端及NMOS管N1的漏端分別與另一個(gè)補(bǔ)償電路中的NMOS管N1的漏端及NMOS管N4的柵端連接后，分別與SRAM電路的兩根位線連接。
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