[發(fā)明專利]一種快速查找晶圓劃傷缺角沾污的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210052475.6 | 申請日: | 2012-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN103295928A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 欒廣慶;呂淑瑞;鄧燕 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人: | 顧珊;汪洋 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 快速 查找 劃傷 沾污 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝,具體而言涉及一種快速查找晶圓劃傷缺角沾污的方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體制造過程中,由于設(shè)備異常或者人為操作錯誤會導(dǎo)致晶圓劃傷缺角沾污的產(chǎn)生,進而造成產(chǎn)品良率下降,嚴(yán)重的會導(dǎo)致整個晶圓的報廢。
目前,主要通過人工在線查找的方法來查找造成晶圓劃傷缺角沾污的原因,即查找者參考整個半導(dǎo)體制造過程所采用的設(shè)備名稱和硬件尺寸,憑借經(jīng)驗來判斷產(chǎn)生上述問題的根源。這種查找方法的缺點是:不同的查找者所擁有的相關(guān)經(jīng)驗不同,因而對于不同的查找者,其查找的速度和判斷的結(jié)果存在較大的差異,不利于快速、準(zhǔn)確地解決所述出現(xiàn)的問題。
因此,需要提出一種方法,以能夠為不同的查找者提供一個統(tǒng)一的對于劃傷缺角沾污的產(chǎn)生原因的查找平臺。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種快速查找晶圓劃傷缺角沾污的方法,包括:將已確認(rèn)的造成晶圓劃傷缺角沾污的設(shè)備的名稱和硬件尺寸匯總做成數(shù)據(jù)庫1;統(tǒng)計晶圓制造過程中與所述晶圓發(fā)生接觸的所有設(shè)備的名稱和硬件尺寸,并將上述所有的硬件尺寸和晶圓的接觸位置做成統(tǒng)一的數(shù)據(jù)庫2;按照0.5mm的像素點對所述晶圓進行劃分;在所劃分的所述晶圓中確定劃傷的起點和終點;選取與所述劃傷最近似的曲線;根據(jù)所述曲線的形狀和長度從所述數(shù)據(jù)庫2中選取對應(yīng)的數(shù)據(jù),并將所選取的數(shù)據(jù)與所述數(shù)據(jù)庫1中的數(shù)據(jù)進行對比;將確認(rèn)的結(jié)果數(shù)據(jù)輸入所述數(shù)據(jù)庫1,以作為后續(xù)判斷問題的參考依據(jù)。
進一步,所述數(shù)據(jù)庫1中的硬件尺寸包括所述設(shè)備與所述晶圓發(fā)生實際接觸的部位的尺寸以及所述設(shè)備對所述晶圓造成的劃傷的尺寸。
進一步,所述數(shù)據(jù)庫2中的硬件尺寸包括所述設(shè)備與所述晶圓發(fā)生實際接觸的部位的尺寸。
進一步,通過改變相似度值來選取與所述劃傷最近似的曲線。
進一步,通過所述對比,以進一步排除不可能造成所述劃傷的設(shè)備的名稱和硬件尺寸。
根據(jù)本發(fā)明,可以為不同的查找者提供一個統(tǒng)一的對于劃傷缺角沾污的產(chǎn)生原因的查找平臺,并將異常記錄存檔;通過該平臺,任何人都可以快速地判斷問題,減小對產(chǎn)品的影響范圍。
附圖說明
本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述,用來解釋本發(fā)明的原理。
附圖中:
圖1為按照0.5mm的像素點對晶圓進行劃分的示意圖;
圖2為相似度查詢按鈕的示意圖;
圖3為本發(fā)明提出的快速查找晶圓劃傷缺角沾污的方法的流程圖。
具體實施方式
在下文的描述中,給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是,本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中,為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆,對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。
為了徹底理解本發(fā)明,將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟,以便闡釋本發(fā)明提出的快速查找晶圓劃傷缺角沾污的方法。顯然,本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下,然而除了這些詳細(xì)描述外,本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
應(yīng)當(dāng)理解的是,當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時,其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件,但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
針對現(xiàn)有的人工在線查找方法的不足之處,本發(fā)明提出一個統(tǒng)一的對于劃傷缺角沾污的產(chǎn)生原因進行查找的方法。
參照圖1,其中示出了本發(fā)明提出的快速查找晶圓劃傷缺角沾污的方法的流程圖,用于簡要示出整個查找方法的流程。下面將結(jié)合圖1對本發(fā)明的方法進行詳細(xì)描述。
執(zhí)行步驟101,將已確認(rèn)的造成晶圓劃傷缺角沾污的設(shè)備的名稱和硬件尺寸匯總做成數(shù)據(jù)庫1。所述設(shè)備包括托舉或抓取所述晶圓的設(shè)備、研磨所述晶圓的設(shè)備等。所述硬件尺寸包括所述設(shè)備與所述晶圓發(fā)生實際接觸的部位的尺寸以及所述設(shè)備對所述晶圓造成的劃傷的尺寸。
執(zhí)行步驟102,統(tǒng)計晶圓制造過程中與所述晶圓發(fā)生接觸的所有設(shè)備的名稱和硬件尺寸,并將上述所有的硬件尺寸和晶圓的接觸位置做成統(tǒng)一的數(shù)據(jù)庫2。所述硬件尺寸包括所述設(shè)備與所述晶圓發(fā)生實際接觸的部位的尺寸。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫華潤上華科技有限公司,未經(jīng)無錫華潤上華科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210052475.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





