[發明專利]一種快速查找晶圓劃傷缺角沾污的方法有效
| 申請號: | 201210052475.6 | 申請日: | 2012-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN103295928A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 欒廣慶;呂淑瑞;鄧燕 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人: | 顧珊;汪洋 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 快速 查找 劃傷 沾污 方法 | ||
1.一種快速查找晶圓劃傷缺角沾污的方法,包括:
將已確認的造成晶圓劃傷缺角沾污的設備的名稱和硬件尺寸匯總做成數據庫1;
統計晶圓制造過程中與所述晶圓發生接觸的所有設備的名稱和硬件尺寸,并將上述所有的硬件尺寸和晶圓的接觸位置做成統一的數據庫2;
按照0.5mm的像素點對所述晶圓進行劃分;
在所劃分的所述晶圓中確定劃傷的起點和終點;
選取與所述劃傷最近似的曲線;
根據所述曲線的形狀和長度從所述數據庫2中選取對應的數據,并將所選取的數據與所述數據庫1中的數據進行對比;
將確認的結果數據輸入所述數據庫1,以作為后續判斷問題的參考依據。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述數據庫1中的硬件尺寸包括所述設備與所述晶圓發生實際接觸的部位的尺寸以及所述設備對所述晶圓造成的劃傷的尺寸。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述數據庫2中的硬件尺寸包括所述設備與所述晶圓發生實際接觸的部位的尺寸。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,通過改變相似度值來選取與所述劃傷最近似的曲線。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,通過所述對比,以進一步排除不可能造成所述劃傷的設備的名稱和硬件尺寸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





