[發明專利]石斛大棚人工栽培方法

在審

• 申請號: 201210048473.X
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN103283428A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 馬雄英
• 申請（專利權）人: 馬雄英
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及中草藥種植技術領域，具體涉及一種石斛大棚人工栽培方法。

背景技術

石斛為蘭科多年生附生草本植物。生于海拔達1600米的山地半陰濕的巖石上，喜溫暖濕潤氣候和半陰半陽的環境，不耐寒。一般均能耐-5℃的低溫。石斛可分為黃草、金釵、馬鞭等數十種，鐵皮石斛為石斛之極品，它因表皮呈鐵綠色而得名。鐵皮石斛具有獨特的藥用價值，以其莖入藥，中藥名：石斛，屬補益藥中的補陰藥，《中國藥典》：益胃生津，滋陰清熱。石斛喜在溫暖、潮濕、半陰半陽的環境中生長，以年降雨量1000毫米以上、空氣濕度大于80％、1月平均氣溫高于8℃的亞熱帶深山老林中生長為佳，對土肥要求不甚嚴格，野生多在疏松且厚的樹皮或樹干上生長，有的也生長于石縫中。每年春末夏初，二年生莖上部節上抽出花序，開花后從莖基長出新芽發育成莖，秋冬季節進人休眠期。

石斛植物形態特征為莖直立，圓柱形，長9-35厘米，粗2-4毫米，不分枝，具多節，節間長1～3～1.7厘米，常在中部以上互生3-5枚葉；葉二列，紙質，長圓狀披針形，長3～4(-7)厘米，寬9～11(-15)毫米，先端鈍并且多少鉤轉，基部下延為抱莖的鞘，邊緣和中肋常帶淡紫色；葉鞘常具紫斑，老時其上緣與莖松離而張開，并且與節留下1個環狀鐵青的間隙。總狀花序常從落了葉的老莖上部發出，具2～3朵花；花序柄長5～10毫米，基部具2～3枚短鞘；花序軸回折狀彎曲，長2～4厘米；花苞片干膜質，淺白色，卵形，長5～7毫米，先端稍鈍；花梗和子房長2～2.5厘米；萼片和花瓣黃綠色，近相似，長圓狀披針形，長約1.8厘米，寬4～5毫米，先端銳尖，具5條脈；側萼片基部較寬闊，寬約1厘米；萼囊圓錐形，長約5毫米，末端圓形；唇瓣白色，基部具1個綠色或黃色的胼胝體，卵狀披針形，比萼片稍短，中部反折，先端急尖，不裂或不明顯3裂，中部以下兩側具紫紅色條紋，邊緣多少波狀；唇盤密布細乳突狀的毛，并且在中部以上具1個紫紅色斑塊；蕊柱黃綠色，長約3毫米，先端兩側各具1個紫點；蕊柱足黃綠色帶紫紅色條紋，疏生毛；藥帽白色，長卵狀三角形，長約2.3毫米，頂端近銳尖并且2裂。花期3-6月。由于石斛生長環境的苛刻性，人工栽培石斛必須攻克品種穩定的技術難關，防止鐵皮品種的退化。本發明利用大棚人工栽培石斛，通過仿野生模擬的方式，利用一系列的設施設備模擬最適宜石斛生長的基質、溫度、光照、空氣質量、濕度等環境條件，形成專業獨特的“小氣候”，再通過現代農業管理手段控制病蟲害，實現皮石斛的品種和品質的穩定。

發明內容

野生石斛一般生長在海拔100～3000米高度之間，常附生于樹上或巖石上，喜溫暖。濕潤和半陰環境，不耐寒。生長適溫18～30℃，生長期以16～21℃更為合適，休眠期16～18℃，晚間溫度為10～13℃，溫差保持在10～15℃最佳。白天溫度超過30℃對石斛生長影響不大，冬季溫度不低于10℃。幼苗在10℃以下容易受凍，對生長的環境條件要求苛刻。野生的自然繁殖能力低、生長緩慢，目前已禁止采摘。本發明的目的在于采用大棚人工栽培方法，實現石斛藥用市場的需要。

為了實現石斛野生狀態生產條件，本發明采用的技術方案具體如下：

一、栽培前的準備工作

1、栽培設施的選擇溫室構建可選擇鋼構骨架，溫室一般長30m、寬6m(或者8m)，肩高1.8m，總高4m左右；種植苗床之間要預留寬1m左右的道路，方便管理。

2、苗床的準備棚內搭建高架種植苗床，苗床長度跟溫室一樣，寬1.2m.架空高度40Cm左右。床與床之間配有通道，以便栽培操作。栽培床底部采用鋼絲網鋪設，在鋼絲網上鋪設一層40目的防蟲網。基質倒于栽培床上，厚度為7-15cm。

3、基質的準備

基質由石灰巖碎石濾水層5cm+鋸末8cm+活苔蘚2cm為基質，石斛長勢最好、產量最高。

二、定植栽培方法

1、據研究，組培苗根長在0.5-1.0cm時是移植的最佳時期。栽培前，將石斛組培苗放在室內煉苗20～25天后，用清水洗凈組培苗根上的培養基，用0.1％的百菌清液消毒，以防組培苗根腐爛。栽培時，按15cm×20cm的株行距種植。石斛為叢生植物，以3株1叢種植更適宜。栽培時間以3～6月為宜，其間栽培組培苗成活率較高，可達95％以上，且生長健壯。

2、移栽時間、選擇在4～5月。移栽時可在基質上挖深2-3cm的小洞。輕輕將煉苗、出瓶洗凈后的組培苗根部放人小洞.注意不要弄斷石斛的肉質根，然后用基質蓋好。

三、溫室條件管理