[發明專利]石斛大棚人工栽培方法

在審

• 申請號: 201210048473.X
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN103283428A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 馬雄英
• 申請（專利權）人: 馬雄英
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.石斛大棚人工栽培方法，其特征在于包含下述步驟：

(1)、栽培前的準備工作溫室構建擇鋼構骨架，溫室長30m、寬6m，肩高1.8m，總高4m左右；種植苗床之間要預留寬1m左右的道路，苗床寬1.2m.架空高度40Cm，栽培床底部采用鋼絲網鋪設，基質倒于栽培床上，厚度為7～15cm；基質由石灰巖碎石濾水層5cm+鋸末8cm+活苔蘚2cm為基質；

(2)、定植栽培方法組培苗根長在0.5～1.0cm時將石斛組培苗放在室內煉苗20～25天后，用清水洗凈組培苗根上的培養基，用0.1％的百菌清液消毒，按15cm×20cm的株行距種植，石斛為叢生植物，以3株1叢種植更適宜；移栽時間、選擇在4～5月，移栽時可在基質上挖深2～3cm的小洞，煉苗、出瓶洗凈后將組培苗根部放人小洞后用基質蓋好；

(3)、溫室條件管理

①光照控制石斛生長的最適光照強度為5000～10000lux；

②溫、濕度控制大棚內溫度白天保持在25～30℃，夜晚15-20℃，低溫不要低于8℃，高溫不要高于35℃。濕度控制在60％～80％；

③水分控制在剛定植完的1個星期內，保持基質處于濕潤狀態，但不積水。在新根萌動后，以間干間濕的原則進行澆水，一次澆足后，待基質表層發白后再澆；

④肥料控制石斛氣生根的營養主要靠根系的蘭菌固定空氣中的游離氮，在新根萌動后噴施液體肥，如磷酸二氫鉀液，或磷酸二氫鉀加尿素液等，濃度均為0.1％左右，10天左右噴施1次，新根已長出10cm左右時，施加緩效顆粒肥，葉面肥常量元素為N∶P205∶K20＝25∶13∶13，其N、P、K總含量為51％，微量元素B、Fe、Zn、Cu、Mn、Mo總含量為1％；

⑤植物生長調節劑，施用外源生長素GA<赤霉素>、6-BA，在低濃度條件下，隨著ABA(脫落酸)濃度的增加，原球莖的增殖速度加快，當ABA濃度為0.5mg/L時增殖最大。

2.如權利要求1所述石斛大棚人工栽培方法，其特征在于可以根據種植地，進行溫度、濕度調節，先試驗取得穩定數據即可進行規模種植。