[發(fā)明專利]像素單元驅(qū)動(dòng)電路、像素單元驅(qū)動(dòng)方法以及像素單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210047893.6
• 申請(qǐng)日: 2012-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN102708793A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 青海剛;祁小敬;高永益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/32
• 分類號(hào): G09G3/32
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;趙愛軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路、像素單元驅(qū)動(dòng)方法以及像素單元。

背景技術(shù)

AMOLED(Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)能夠發(fā)光是由驅(qū)動(dòng)TFT在飽和狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的電流所驅(qū)動(dòng)，因?yàn)檩斎胂嗤幕译A電壓時(shí)，不同的臨界電壓會(huì)產(chǎn)生不同的驅(qū)動(dòng)電流，造成電流的不一致性。LTPS(低溫多晶硅)制程上Vth(晶體管閾值電壓)的均勻性非常差，同時(shí)Vth也有漂移，如此傳統(tǒng)的2T1C電路亮度均勻性一直很差。

傳統(tǒng)的2T1C像素單元驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示，電路只含有兩個(gè)TFT，T1用作開關(guān)，DTFT用于像素驅(qū)動(dòng)。傳統(tǒng)的2T1C像素單元驅(qū)動(dòng)電路操作也比較簡(jiǎn)單，對(duì)該2T1C像素單元驅(qū)動(dòng)電路的控制時(shí)序圖如圖2所示，當(dāng)掃描線Scan輸出的掃描電平Vscan為低時(shí)，T1打開，數(shù)據(jù)線Data上的灰階電壓對(duì)電容C充電，當(dāng)掃描電平為高時(shí)，T1關(guān)閉，電容C用來保存灰階電壓。由于VDD(驅(qū)動(dòng)電源高電平輸出端輸出的電壓)較高，因此DTFT處于飽和狀態(tài)，OLED的驅(qū)動(dòng)電流I＝K(Vsg-|Vth|)²＝K(VDD-Vdata-|Vth|)²，Vsg是DTFT的源極和柵極之間的電壓差值，Vdata為數(shù)據(jù)線Data上的灰階電壓，K是一個(gè)與晶體管尺寸和載流子遷移率有關(guān)的常數(shù)，一旦TFT尺寸和工藝確定，K確定。該2T1C像素單元驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流公式中包含了Vth，如前所述，由于LTPS工藝的不成熟，即便是同樣的工藝參數(shù)，制作出來的面板不同位置的TFT的Vth也有較大差異，導(dǎo)致了同一灰階電壓下OLED的驅(qū)動(dòng)電流不一樣，因此該驅(qū)動(dòng)方案下的面板不同位置亮度會(huì)有差異，亮度均一性差。同時(shí)隨著OLED面板使用的延長(zhǎng)，OLED材料逐漸老化，導(dǎo)致OLED發(fā)光的臨界電壓上升，同樣的電流下，OLED材料發(fā)光效率下降，面板亮度降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路、像素單元驅(qū)動(dòng)方法以及像素單元，可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的臨界電壓，同時(shí)補(bǔ)償OLED材料老化臨界電壓上升導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)電流下降。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)OLED，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開關(guān)元件、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)控制單元和充電控制單元，其中，

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極，與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，還通過所述充電控制單元與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極，與所述OLED連接，并通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極，通過所述第一開關(guān)元件與驅(qū)動(dòng)電源連接；

所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端，還通過所述充電控制單元與所述驅(qū)動(dòng)電源連接；

所述驅(qū)動(dòng)控制單元，還分別與所述驅(qū)動(dòng)電源和所述OLED連接；

所述充電控制單元，還分別與數(shù)據(jù)線和所述OLED連接。

實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管是p型薄膜晶體管；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極與所述OLED的陰極連接；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極通過所述第一開關(guān)元件與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；

所述存儲(chǔ)電容的第二端通過所述充電控制單元與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接。

實(shí)施時(shí)，所述第一開關(guān)元件為第一薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，所述充電控制單元包括第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管和第六薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；

所述第二薄膜晶體管，柵極與第二控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接，漏極與所述OLED的陽極連接；

所述第三薄膜晶體管，柵極與第二控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接，漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；

所述第四薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，漏極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；

所述第五薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接，漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；

所述第六薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，源極與所述OLED的陽極連接，漏極與數(shù)據(jù)線連接；