[發(fā)明專利]像素單元驅(qū)動電路、像素單元驅(qū)動方法以及像素單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210047893.6 | 申請日： | 2012-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN102708793A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 青海剛;祁小敬;高永益 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/32 | 分類號： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;趙愛軍 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 像素 單元 驅(qū)動 電路 方法 以及 | ||
1.一種像素單元驅(qū)動電路，用于驅(qū)動OLED，其特征在于，包括驅(qū)動薄膜晶體管、第一開關(guān)元件、存儲電容、驅(qū)動控制單元和充電控制單元，其中，
所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極，與所述存儲電容的第一端連接，還通過所述充電控制單元與所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接；
所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極，與所述OLED連接，并通過所述驅(qū)動控制單元與所述存儲電容的第二端連接；
所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極，通過所述第一開關(guān)元件與驅(qū)動電源連接；
所述存儲電容Cs的第二端，還通過所述充電控制單元與所述驅(qū)動電源連接；
所述驅(qū)動控制單元，還分別與所述驅(qū)動電源和所述OLED連接；
所述充電控制單元，還分別與數(shù)據(jù)線和所述OLED連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元驅(qū)動電路，其特征在于，
所述驅(qū)動薄膜晶體管是p型薄膜晶體管；
所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極與所述OLED的陰極連接；
所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極通過所述第一開關(guān)元件與驅(qū)動電源的低電平輸出端連接；
所述存儲電容的第二端通過所述充電控制單元與所述驅(qū)動電源的低電平輸出端連接。
3.如權(quán)利要求2所述的像素單元驅(qū)動電路，其特征在于，
所述第一開關(guān)元件為第一薄膜晶體管，所述驅(qū)動控制單元包括第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，所述充電控制單元包括第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管和第六薄膜晶體管；
所述第一薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，漏極與所述驅(qū)動電源的低電平輸出端連接，源極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接；
所述第二薄膜晶體管，柵極與第二控制線連接，源極與所述驅(qū)動電源的高電平輸出端連接，漏極與所述OLED的陽極連接；
所述第三薄膜晶體管，柵極與第二控制線連接，源極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極連接，漏極與所述存儲電容的第二端連接；
所述第四薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，漏極與所述存儲電容的第一端連接，源極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接；
所述第五薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，源極與所述驅(qū)動電源的低電平輸出端連接，漏極與所述存儲電容的第二端連接；
所述第六薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，源極與所述OLED的陽極連接，漏極與數(shù)據(jù)線連接；
所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管都是p型薄膜晶體管，所述第四開關(guān)元件、所述第五薄膜晶體管和所述第六薄膜晶體管是n型薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求2所述的像素單元驅(qū)動電路，其特征在于，
所述第一開關(guān)元件為第一薄膜晶體管，所述驅(qū)動控制單元包括第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，所述充電控制單元包括第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管和第六薄膜晶體管；
所述第一薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，漏極與所述驅(qū)動電源的低電平輸出端連接，源極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接；
所述第二薄膜晶體管，柵極與第二控制線連接，源極與所述驅(qū)動電源的高電平輸出端連接，漏極與所述OLED的陽極連接；
所述第三薄膜晶體管，柵極與第二控制線連接，源極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極連接，漏極與所述存儲電容的第二端連接；
所述第四薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，漏極與所述存儲電容的第一端連接，源極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接；
所述第五薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，源極與所述存儲電容的第二端連接，漏極與驅(qū)動電源的高電平輸出端連接；
所述第六薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，源極與所述OLED的陽極連接，漏極與數(shù)據(jù)線連接；
所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管都是p型薄膜晶體管，所述第四開關(guān)元件、所述第五薄膜晶體管和所述第六薄膜晶體管是n型薄膜晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的像素單元驅(qū)動電路，其特征在于，
所述驅(qū)動薄膜晶體管是n型薄膜晶體管；
所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極與所述OLED的陽極連接；
所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極通過所述第一開關(guān)元件與驅(qū)動電源的高電平輸出端連接；
所述存儲電容的第二端通過所述充電控制單元與所述驅(qū)動電源的高電平輸出端連接。
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