[發明專利]鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201210047870.5
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN103289687A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;H01L33/26;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，其特征在于，該鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的化學通式為MeAl_2-xS₄:xCe³⁺，其中MeAl_2-xS₄是基質，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

2.根據權利要求1所述的鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的厚度為80nm～300nm。

3.一種鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃～650℃，轉速為50轉/分鐘～1000轉/分鐘，在氬氣氣流的載體下，根據MeAl_2-xS₄:xCe³⁺各元素的化學計量比將(DPM)₂Me，三甲基鋁和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鈰通入反應室內；及

通入硫化氫氣體，進行化學氣相沉積得到化學表達式為MeAl_2-xS₄:xCe³⁺的鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，其中MeAl_2-xS₄是基質，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

4.根據權利要求3所述的鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述(DPM)₂Me，三甲基鋁和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鈰的摩爾比為1∶(0.92～0.99)∶(0.01～0.08)。

5.根據權利要求3所述的鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述氬氣氣流量為5～15sccm，所述硫化氫氣流量為10～200sccm。

6.根據權利要求3所述的鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，將所述襯底裝入所述反應室后將所述襯底在600℃～800℃下熱處理10分鐘～30分鐘。

7.一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材料為鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，該鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的化學表達式為MeAl_2-xS₄:xCe³⁺，其中MeAl_2-xS₄是基質，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

8.根據權利要求7所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光層的厚度為80nm～300nm。

9.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，該鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的化學表達式為MeAl_2-xS₄:xCe³⁺，其中MeAl_2-xS₄是基質，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me為Mg、Ca、Sr或Ba；及

在所述發光層上形成陰極。

10.根據權利要求9所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光層的制備包括以下步驟：

將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃～650℃，轉速為50轉/分鐘～1000轉/分鐘，在氬氣氣流的載體下，根據MeAl_2-xS₄:xCe³⁺各元素的化學計量比將(DPM)₂Me，三甲基鋁和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鈰通入反應室內，氬氣氣流量為5～15sccm；及

通入硫化氫氣體，硫化氫氣流量為10～200sccm，進行化學氣相沉積薄膜在所述陽極上形成發光層。