[發明專利]鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201210047870.5
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN103289687A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;H01L33/26;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本發明涉及一種鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。

【背景技術】

薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的薄膜，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，仍未見報道。

【發明內容】

基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜、其制備方法、使用該鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的電致發光器件及其制備方法。

一種鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，該鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的化學通式為MeAl_2-xS₄:xCe³⁺，其中MeAl_2-xS₄是基質，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me為Mg，Ca，Sr或Ba；

該鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的厚度為80nm～300nm。

一種鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃～650℃，轉速為50轉/分鐘～1000轉/分鐘，在氬氣氣流的載體下，根據MeAl_2-xS₄:xCe³⁺各元素的化學計量比將(DPM)₂Me，三甲基鋁和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鈰通入反應室內；及

通入硫化氫氣體，進行化學氣相沉積得到化學表達式為MeAl_2-xS₄:xCe³⁺的鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，其中MeAl_2-xS₄是基質，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，Me為Mg，Ca，Sr或Ba。。

在優選的實施例中，(DPM)₂Me，三甲基鋁和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鈰的摩爾比為1∶(0.92～0.99)∶(0.01～0.08)。

在優選的實施例中，所述氬氣氣流量為5～15sccm，所述硫化氫氣流量為10～200sccm。

在優選的實施例中，將所述襯底裝入所述反應室后將所述襯底在600℃～800℃下熱處理10分鐘～30分鐘。

一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層的材料為鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，該鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的化學表達式為MeAl_2-xS₄:xCe³⁺，其中MeAl_2-xS₄是基質，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

一種薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜，該鈰摻雜硫代鋁酸鹽發光薄膜的化學表達式為MeAl_2-xS₄:xCe³⁺，其中MeAl_2-xS₄是基質，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me為Mg、Ca、Sr或Ba；及

在所述發光層上形成陰極。

在優選的實施例中，所述發光層的制備包括以下步驟：

將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；