[發明專利]一種硅基薄膜太陽能電池

無效

• 申請號: 201210047083.0
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102593205A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 余冬冬;董科研;崔艷峰;陸中丹
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/077;H01L31/20
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

技術領域

本發明涉及一種硅基薄膜太陽能電池。

背景技術

現有的硅基薄膜電池一般采用a-Si薄膜作為窗口層，但是不能很好的解決a-Si薄膜的光致衰減效應。硅基薄膜電池對基底的界面態要求很高，對清洗工藝要求苛刻。另外，硅基薄膜電池的重摻雜工藝會造成大量缺陷復合中心，導致電池開壓及填充因子的降低，對電池性能造成一定影響。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：克服現有技術的不足，提供一種異質結疊層太陽能電池及其制備方法，

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種硅基薄膜太陽能電池，具有硅片，所述的硅片具有P型晶體硅基體，所述的P型晶體硅基體正面生長有2～5nm的SiO₂(二氧化硅)層，所述的P型晶體硅基體背面生長有2～5nm的Al₂O₃(三氧化二鋁)層，所述的SiO₂層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點接觸，所述的Al₂O₃層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點接觸，所述的SiO₂層正面依次生長有厚度為5±2nm的第一nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(n+)層、厚度為5±2nm的第二nc-Si:H(i)層，所述的Al₂O₃層背面依次生長有厚度為5±2nm的第三nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度為5±2nm的第四nc-Si:H(i)層。

進一步地，所述的第二nc-Si:H(i)層正面沉積有厚度為80～100nm的正面導電膜層，正面導電膜層正面印刷有正面電極，所述的第四nc-Si:H(i)層背面沉積有厚度為80～100nm的背面導電膜層，背面導電膜層背面印刷有背面電極。

一種硅基薄膜太陽能電池的制備方法，硅片的襯底采用P型晶體硅基體，所述的P型晶體硅基體正面生長2～5nm的SiO₂層，所述的P型晶體硅基體背面生長2～5nm的Al₂O₃層，所述的SiO₂層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點接觸，所述的Al₂O₃層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點接觸。

所述的SiO₂層正面依次生長厚度為5±2nm的第一nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(n+)層、厚度為5±2nm的第二nc-Si:H(i)層，所述的第二nc-Si:H(i)層正面沉積厚度為80～100nm的正面導電膜層，正面導電膜層正面印刷正面電極。

所述的Al₂O₃層背面依次生長厚度為5±2nm的第三nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度為5±2nm的第四nc-Si:H(i)層，所述的第四nc-Si:H(i)層背面沉積厚度為80～100nm的背面導電膜層，背面導電膜層背面印刷有背面電極。

本發明的有益效果是：用多層nc-Si:H層代替a-Si能解決較多薄膜電池的光致衰減效應的問題。在P型晶體硅基體上制備的SiO2層、Al2O3層具有很好的鈍化作用，通過激光打孔形成點接觸，提供一個可控界面態結構，提供可控界面，降低了對清洗工藝的要求；同時可以避免等離子體對硅基底的濺射損傷。多層nc-Si:H(i)層的存在，可以有效的降低界面態密度，使得重摻非晶硅薄膜表面的光生電子-空穴對復合減少，暗電流降低，提高了硅基薄膜電池的開壓及填充因子。

附圖說明

下面結合附圖對本發明進一步說明。

圖1是本發明的結構示意圖；

具體實施方式

現在結合附圖對本發明作進一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本發明的基本結構，因此其僅顯示與本發明有關的構成。