[發(fā)明專利]一種硅基薄膜太陽能電池

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210047083.0
• 申請(qǐng)日: 2012-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN102593205A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余冬冬;董科研;崔艷峰;陸中丹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/077;H01L31/20
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種硅基薄膜太陽能電池，具有硅片，所述的硅片具有P型晶體硅基體，其特征在于：所述的P型晶體硅基體正面生長(zhǎng)有2～5nm的SiO₂層，所述的P型晶體硅基體背面生長(zhǎng)有2～5nm的Al₂O₃層，所述的SiO₂層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點(diǎn)接觸，所述的Al₂O₃層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點(diǎn)接觸，所述的SiO₂層正面依次生長(zhǎng)有厚度為5±2nm的第一nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(n+)層、厚度為5±2nm的第二nc-Si:H(i)層，所述的Al₂O₃層背面依次生長(zhǎng)有厚度為5±2nm的第三nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度為5±2nm的第四nc-Si:H(i)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述的第二nc-Si:H(i)層正面沉積有厚度為80～100nm的正面導(dǎo)電膜層，正面導(dǎo)電膜層正面印刷有正面電極，所述的第四nc-Si:H(i)層背面沉積有厚度為80～100nm的背面導(dǎo)電膜層，背面導(dǎo)電膜層背面印刷有背面電極。

3.一種硅基薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于：硅片的襯底采用P型晶體硅基體，所述的P型晶體硅基體正面生長(zhǎng)2～5nm的SiO₂層，所述的P型晶體硅基體背面生長(zhǎng)2～5nm的Al₂O₃層，所述的SiO₂層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點(diǎn)接觸，所述的Al₂O₃層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點(diǎn)接觸；

所述的SiO₂層正面依次生長(zhǎng)厚度為5±2nm的第一nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(n+)層、厚度為5±2nm的第二nc-Si:H(i)層，所述的第二nc-Si:H(i)層正面沉積厚度為80～100nm的正面導(dǎo)電膜層，正面導(dǎo)電膜層正面印刷正面電極；

所述的Al₂O₃層背面依次生長(zhǎng)厚度為5±2nm的第三nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度為5±2nm的第四nc-Si:H(i)層，所述的第四nc-Si:H(i)層背面沉積厚度為80～100nm的背面導(dǎo)電膜層，背面導(dǎo)電膜層背面印刷有背面電極。