[發明專利]一種硅基薄膜太陽能電池無效

申請號：	201210047083.0	申請日：	2012-02-28
公開（公告）號：	CN102593205A	公開（公告）日：	2012-07-18
發明（設計）人：	余冬冬;董科研;崔艷峰;陸中丹	申請（專利權）人：	常州天合光能有限公司
主分類號：	H01L31/0352	分類號：	H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/077;H01L31/20
代理公司：	常州市維益專利事務所 32211	代理人：	王凌霄
地址：	213031 江蘇省***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種薄膜太陽能電池
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【權利要求書】：

1.一種硅基薄膜太陽能電池，具有硅片，所述的硅片具有P型晶體硅基體，其特征在于：所述的P型晶體硅基體正面生長有2～5nm的SiO₂層，所述的P型晶體硅基體背面生長有2～5nm的Al₂O₃層，所述的SiO₂層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點接觸，所述的Al₂O₃層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點接觸，所述的SiO₂層正面依次生長有厚度為5±2nm的第一nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(n+)層、厚度為5±2nm的第二nc-Si:H(i)層，所述的Al₂O₃層背面依次生長有厚度為5±2nm的第三nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度為5±2nm的第四nc-Si:H(i)層。

2.根據權利要求1所述的一種硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述的第二nc-Si:H(i)層正面沉積有厚度為80～100nm的正面導電膜層，正面導電膜層正面印刷有正面電極，所述的第四nc-Si:H(i)層背面沉積有厚度為80～100nm的背面導電膜層，背面導電膜層背面印刷有背面電極。

3.一種硅基薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于：硅片的襯底采用P型晶體硅基體，所述的P型晶體硅基體正面生長2～5nm的SiO₂層，所述的P型晶體硅基體背面生長2～5nm的Al₂O₃層，所述的SiO₂層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點接觸，所述的Al₂O₃層與P型晶體硅基體通過激光打孔形成點接觸；

所述的SiO₂層正面依次生長厚度為5±2nm的第一nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(n+)層、厚度為5±2nm的第二nc-Si:H(i)層，所述的第二nc-Si:H(i)層正面沉積厚度為80～100nm的正面導電膜層，正面導電膜層正面印刷正面電極；

所述的Al₂O₃層背面依次生長厚度為5±2nm的第三nc-Si:H(i)層、厚度為10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度為5±2nm的第四nc-Si:H(i)層，所述的第四nc-Si:H(i)層背面沉積厚度為80～100nm的背面導電膜層，背面導電膜層背面印刷有背面電極。

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