[發明專利]用于集成電路對準的結構設計和方法有效
| 申請號： | 201210046563.5 | 申請日： | 2012-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN102800654A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 陳憲偉 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人： | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 集成電路 對準 結構設計 方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
管芯，包括：集成電路區域；裝配隔離區域，圍繞所述集成電路區域；以及密封環區域，圍繞所述裝配隔離區域；以及
管芯對準標記，被設置在所述密封環區域或所述裝配隔離區域內。
2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述管芯對準標記沒有被設置在所述密封環區域或所述裝配隔離區域的角部中。
3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述管芯對準標記包括臨界尺寸均勻圖案，所述臨界尺寸均勻圖案包括：有源OD層、多晶硅POLY層、接觸CO層、金屬Mx層、以及通孔Vx層。
4.根據權利要求1所述的器件，其中，所述管芯對準標記包括：框中框對準圖案。
5.根據權利要求1所述的器件，其中，所述管芯對準標記包括：形成在有源OD層、多晶硅POLY層、和/或接觸CO層中的至少一種套刻標記。
6.根據權利要求1所述的器件，進一步包括：
劃線，限定曝光區域的周界；以及
曝光區域對準標記，被設置在限定所述曝光區域的所述周界的劃線內。
7.根據權利要求1所述的器件，進一步包括：多個管芯對準標記，被設置在所述密封環區域或所述裝配隔離區域內。
8.根據權利要求7所述的器件，其中，設置在所述密封環區域內的所述多個管芯對準標記被交替地設置為與所述密封環區域的外部邊緣以及所述密封環區域的內部邊緣鄰近。
9.一種半導體器件，包括：
多個曝光區域；
多個管芯，位于每個曝光區域內，其中，每個管芯包括：集成電路區域；裝配隔離區域，圍繞所述集成電路區域；以及密封環區域，圍繞所述裝配隔離區域；
劃線，限定每個曝光區域和每個管芯；
曝光區域對準標記，用于每個曝光區域；以及
管芯對準標記，用于每個管芯，所述管芯對準標記被設置在每個管芯的密封環區域或裝配隔離區域內。
10.一種方法，包括：
提供半導體器件；
在所述半導體器件上限定區域，其中，通過劃線限定所述區域的周界；
限定在所述區域內的管芯區域，其中，每個管芯區域包括：集成電路區域；裝配隔離區域，圍繞所述集成電路區域；以及密封環區域，圍繞所述裝配隔離區域；
在所述密封環區域或所述裝配隔離區域內形成管芯對準標記。
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