[發明專利]齊納二極管的制造方法有效
| 申請號： | 201210046164.9 | 申請日： | 2012-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN102592995A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 梁博 | 申請（專利權）人： | 上海先進半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 齊納二極管 制造 方法 | ||
1.一種齊納二極管的制造方法，包括：
提供襯底，所述襯底包括正面以及與正面相對的背面，所述襯底的正面上形成有外延層；
刻蝕所述外延層和部分厚度的襯底形成第一深槽，所述第一深槽為環形；
在所述外延層上形成絕緣層，同時填充所述第一深槽形成第一深槽填充；
刻蝕所述外延層和部分厚度的襯底，在所述第一深槽填充包圍的區域內形成至少一個第二深槽；
在所述圖形化的絕緣層上形成原位摻雜多晶硅，同時填充所述第二深槽形成第二深槽填充；
對所述襯底進行退火工藝形成擴散區域，所述擴散區域和襯底構成齊納二極管的PN結；
刻蝕所述原位摻雜多晶硅層形成圖形化的多晶硅，所述圖形化的多晶硅作為齊納二極管的陰極；
在所述襯底的背面形成金屬層，所述金屬層作為齊納二極管的陽極。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕所述原位摻雜多晶硅層形成圖形化的多晶硅之后，還包括：對所述襯底進行減薄。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延層的厚度范圍為17μm～22μm。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底的電阻率范圍為0.010Ω·cm～0.020Ω·cm。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蝕所述外延層和部分厚度的襯底形成第一深槽之前，還包括：
在所述襯底上形成掩膜層；以及
刻蝕所述掩膜層形成圖性化的掩膜層。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩膜層為二氧化硅。
7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，利用淀積的方法在所述襯底上形成掩膜層。
8.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩膜層的厚度范圍為1.5μm～2.5um。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一深槽的深度范圍為25μm～30μm，第一深槽的槽寬為1.0μm～1.4μm。
10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蝕所述外延層和部分厚度的襯底形成第二深槽之前，還包括：刻蝕所述絕緣層形成圖形化的絕緣層。
11.如權利要求1所述的方法，其征在于，所述第二深槽的深度范圍為20μm～30μm，第二深槽的槽寬為1.0μm～1.4μm，相鄰的第二深槽之間的間距為1.0μm～1.4μm。
12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火的溫度范圍為1100℃～1150℃，退火時間為50min～100min。
13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，利用化學氣相淀積工藝在所述圖形化的絕緣層上形成原位摻雜多晶硅。
14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述化學氣相淀積工藝的溫度范圍590℃～630℃，壓力范圍250毫托～300毫托，反應氣體為硅烷和磷烷，所述硅烷和磷烷的流量比范圍為9∶1～10∶1。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
