[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210045372.7 | 申請日： | 2012-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN102693964A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 藤井秀紀(jì) | 申請（專利權(quán)）人： | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/60 | 分類號： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 閆小龍;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：
基板；
設(shè)置在所述基板上的下布線；
覆蓋所述下布線的層間絕緣膜；
設(shè)置在所述層間絕緣薄膜上并且彼此分離的第一以及第二上布線；以及
覆蓋所述第一以及第二上布線的半絕緣性的保護(hù)膜，
在所述下布線的正上方，在所述第一上布線和所述第二上布線之間的區(qū)域，不設(shè)置所述保護(hù)膜。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在所述下布線的正上方的整個(gè)區(qū)域不設(shè)置所述保護(hù)膜。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：
基板；
設(shè)置在所述基板上的第一以及第二下布線；
覆蓋所述第一以及第二下布線的層間絕緣膜；
設(shè)置在所述層間絕緣膜上并且彼此分離的第一以及第二上布線；
在所述第一上布線和所述第二上布線之間的區(qū)域的正下方設(shè)置在所述基板上并且將所述第一下布線和所述第二下布線連接的溝槽布線；以及
覆蓋所述第一以及第二上布線的半絕緣性的保護(hù)膜。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述第一上布線具有從所述保護(hù)膜露出的引線鍵合區(qū)域，
所述溝槽布線通過所述引線鍵合區(qū)域之下。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述溝槽布線通過所述引線鍵合區(qū)域的角部之下。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述溝槽布線相對于所述引線鍵合區(qū)域的所述角部傾斜地配置。
7.如權(quán)利要求3～6的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述溝槽布線網(wǎng)格狀地進(jìn)行布線。
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