[發明專利]固體攝像裝置、其制造方法、電子設備和半導體裝置有效
| 申請號: | 201210044602.8 | 申請日: | 2012-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN102683359A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 澀木俊一 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 制造 方法 電子設備 半導體 | ||
相關申請的交叉引用
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技術領域
本發明涉及固體攝像裝置、其制造方法、電子設備以及半導體裝置。
背景技術
諸如數字攝像機、數碼相機等電子設備包括諸如固體攝像裝置等半導體裝置。例如,固體攝像裝置包括CMOS(互補金屬氧化物半導體)型圖像傳感器和CCD(電荷耦合器件)型圖像傳感器。
在固體攝像裝置中,在半導體基板的表面中設有其中布置有多個像素的攝像區。在每個像素中形成有光電轉換部。光電轉換部例如為光電二極管,并且通過使用光接收面來接收經外附的光學系統而入射的光并進行光電轉換,從而生成信號電荷。
在固體攝像裝置中,在CMOS型圖像傳感器中,像素配置為不僅包括光電轉換部,還包括像素晶體管。像素晶體管讀出由光電轉換部生成的信號電荷,并將信號電荷作為電信號而輸出到信號線。
在固體攝像裝置中,一般來說,在半導體基板(半導體層)的有光入射的正面側(front?surface?side)設有電路、布線等。即,光電轉換部接收從設有電路、布線等的正面側入射來的光。因此,存在著由于入射到電路、布線等上的光被遮擋或反射而難以提高感光度的情況。
為改善該缺陷,提出了“背面照射型”,其中使用光電轉換部接收從與設有電路、布線等的正面相反的背面側(rear?surface?side)入射的光。在“背面照射型”中,光電二極管設置于被制成薄膜的半導體層上,從而以高感光度接收從背面側入射的光。然后,在半導體基板的正面側,將支撐基板用粘合劑接合至包括布線的布線層的正面(參照日本未經審查的專利申請特開2005-285988號公報、日本未經審查的專利申請特開2009-176777號公報以及日本未經審查的專利申請特開2009-277732號公報)。
圖39為表示“背面照射型”CMOS型圖像傳感器芯片的重要部分的橫截面圖。
在圖39中,不僅表示了像素區PA,還表示了設在像素區PA外圍的外圍電路部SC和焊盤部PAD。此外,與之伴隨地,表示了劃切(scribe)區LA,當將排列設置于半導體晶片上的多個圖像傳感器芯片分割成多個時,對所述劃切區LA進行劃切。
在CMOS型圖像傳感器芯片中,如圖39所示,在半導體層101的內部,在像素區PA中設有光電二極管21。
如圖39所示,在像素區PA中,在半導體層101的上表面側(背面側)隔著防反射膜HT而設有濾色器CF和片上透鏡OCL。以此方式,提供了這樣的配置,其中,來自半導體層101的上表面側(背面側)的光經由片上透鏡OCL和濾色器CF而入射至光電二極管21。
如圖39所示,在半導體層101的下表面側(正面側),在像素區PA中設有像素晶體管Tr,并且在外圍電路部SC中設有用于構成外圍電路的外圍晶體管31。然后,布線層110形成為覆蓋半導體層101的整個下表面。在布線層110中,在絕緣膜110Z中設有多個布線110H。然后,支撐基板SK利用粘接層201而接合于布線層110的整個下表面。
如圖39所示,在焊盤部PAD中,在布線層110中設有焊盤電極110P。在焊盤電極110P的上表面側設有開口KK,并且在焊盤電極110P的因開口KK而露出的上表面上設有接合線BW。
當在焊盤部PAD中將接合線BW形成于焊盤電極110P上時,會對焊盤電極110P施加機械沖擊。因此,存在這樣的情況,即,在布線層110中的位于焊盤電極110P和粘接層201之間的絕緣膜110Z的部分中發生微小裂紋。
除此之外,在劃切區LA中,因為當對排列在半導體晶片上的多個圖像傳感器芯片進行分割時會產生機械沖擊,故存在布線層110的絕緣膜110Z中發生微小裂紋的情況。
這樣,在布線層110的絕緣膜110Z中,存在這樣的情況,即,由于布線層110和支撐基板SK之間存在軟質粘接層201,故因機械沖擊而在絕緣膜110Z中發生微小裂紋。
此外,在通過涂敷而形成粘接層201的情況下,存在因涂敷不均和空隙的產生而使接合質量下降的情況。
于是,隨著這些缺陷的產生,存在因產品產量下降而難于以高的制造效率來制造諸如固體攝像裝置的半導體裝置的情況。
發明內容
因此,期望提供可提高產品的可靠性與產品產量并可以以高的制造效率進行制造的固體攝像裝置、固體攝像裝置的制造方法、電子設備以及半導體裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
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H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





