[發(fā)明專利]固體攝像裝置、其制造方法、電子設(shè)備和半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210044602.8 | 申請日： | 2012-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN102683359A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 澀木俊一 | 申請（專利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 固體 攝像 裝置 制造 方法 電子設(shè)備 半導(dǎo)體 | ||
1.一種固體攝像裝置，其包括：
半導(dǎo)體層，其包括在該半導(dǎo)體層的像素區(qū)中形成的光電轉(zhuǎn)換元件以及在該半導(dǎo)體層的與光入射表面相反的表面?zhèn)戎行纬傻陌雽?dǎo)體元件；
布線層，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；
支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及
粘接層，其設(shè)置于所述布線層和所述支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板，
其中，所述布線層包括焊盤電極，并且形成有開口以使所述焊盤電極的位于所述半導(dǎo)體層一側(cè)的表面露出，
在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中的至少一個表面中且形成有所述焊盤電極的部分中設(shè)有凸部，并且
所述粘接層形成為使得形成有所述焊盤電極的部分由于所述凸部而至少比所述像素區(qū)的部分薄。
2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中，在所述焊盤電極的因所述開口而露出的表面上連接有接合線。
3.如權(quán)利要求1或2所述的固體攝像裝置，其中，僅在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面中設(shè)有所述凸部。
4.如權(quán)利要求1或2所述的固體攝像裝置，其中，僅在所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中設(shè)有所述凸部。
5.如權(quán)利要求1或2所述的固體攝像裝置，其中，在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面和所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中各設(shè)有所述凸部。
6.如權(quán)利要求1或2所述的固體攝像裝置，
其中，在所述像素區(qū)中形成像素晶體管以作為所述半導(dǎo)體元件，所述像素晶體管用于讀出由所述光電轉(zhuǎn)換元件生成的電荷；
在位于所述像素區(qū)外圍的外圍區(qū)中形成外圍晶體管以作為所述半導(dǎo)體元件，所述外圍晶體管用于構(gòu)成用來驅(qū)動所述像素的外圍電路；并且
所述粘接層的形成有所述焊盤電極的部分比在所述外圍區(qū)中形成有所述外圍電路的部分薄。
7.如權(quán)利要求6所述的固體攝像裝置，還包括：
在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面之至少任一個中的、位于所述外圍區(qū)周圍的劃切區(qū)中被切割的部分中的凸部，
其中，所述粘接層的在所述劃切區(qū)中被切割的部分至少比所述像素區(qū)的部分薄。
8.一種固體攝像裝置，其包括：
半導(dǎo)體層，其包括在該半導(dǎo)體層的像素區(qū)中形成的光電轉(zhuǎn)換元件以及在該半導(dǎo)體層的與光入射表面相反的表面?zhèn)戎行纬傻陌雽?dǎo)體元件；
布線層，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；
支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及
粘接層，其設(shè)置于所述布線層和所述支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板，
其中，在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中的至少一個表面中，在位于所述像素區(qū)外圍的劃切區(qū)中被切割的部分中設(shè)有凸部，并且
所述粘接層形成為使得在所述劃切區(qū)中被切割的部分由于所述凸部而至少比所述像素區(qū)的部分薄。
9.一種固體攝像裝置的制造方法，該方法包括：
在半導(dǎo)體層的像素區(qū)中形成光電轉(zhuǎn)換元件；
在所述半導(dǎo)體層的作為光入射表面的相反側(cè)的表面?zhèn)刃纬砂雽?dǎo)體元件；
在所述半導(dǎo)體層的作為光入射表面的相反側(cè)的表面上形成包括焊盤電極的布線層以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；
在所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面通過粘接層而布置支撐基板，并且利用所述粘接層將所述支撐基板粘接于所述布線層；
形成開口以使得所述焊盤電極的位于所述半導(dǎo)體層一側(cè)的表面露出；并且
在所述焊盤電極的使用所述開口露出的表面上設(shè)置接合線，
其中，在布置所述支撐基板前，還包括在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中的至少一個表面中的形成有所述焊盤電極的部分中設(shè)置凸部的工藝，并且
在布置所述支撐基板的工藝中，在所述布線層和所述支撐基板之間，將所述粘接層形成為使得所述焊盤電極的形成部分由于所述凸部而至少比所述像素區(qū)的部分薄。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
