[發明專利]一種在玻璃基板上沉積致密鈦酸鍶鋇薄膜的方法無效
| 申請號: | 201210044202.7 | 申請日: | 2012-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN102534610A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 談國強;韓偉光;程蕾 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C23C26/00 | 分類號: | C23C26/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 田洲 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 玻璃 基板上 沉積 致密 鈦酸鍶鋇 薄膜 方法 | ||
1.一種在玻璃基板上沉積致密鈦酸鍶鋇薄膜的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:配置前驅液溶液:將Ba(NO3)2,Sr(NO3)2,(NH4)2TiF6,H3BO3分別放入4個燒杯中;然后向4個燒杯中分別加入去離子水,超聲波振蕩均勻,振蕩后將四種溶液倒入一個燒杯中,定容使Ba(NO3)2的濃度為0.002mol/L,Sr(NO3)2的濃度為0.008mol/L,(NH4)2TiF6的濃度為0.01mol/L,H3BO3的濃度為0.03mol/L;最后置于磁力攪拌器上攪拌均勻,然后滴加稀硝酸調節pH值為2.0~3.1,使溶液澄清透明即得前驅液溶液;
步驟2:將配置好的前驅液溶液聯同燒杯放入真空箱中進行真空處理,開啟真空泵,真空壓力調節為-0.2Kg/cm2,抽真空時間為30-60mins,至使前驅液溶液沒有氣泡排出;
步驟3:將有OTS單分子膜的親水性玻璃基板放入真空處理后的前驅液溶液中進行薄膜的自組裝生長,沉積溫度為50℃,沉積時間為18~24h,沉積完成后將玻璃基板在120℃干燥12h;
步驟4:最后將沉積好的薄膜于600℃條件下進行2h的退火處理;得到致密的鈦酸鍶鋇薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法在步驟3和步驟4之間還包括以下步驟:
步驟3.1:重復步驟1、2,然后將上一次進行薄膜的自組裝生長后的玻璃基板放入真空處理后的前驅液溶液中進行薄膜的自組裝生長,沉積溫度為50℃,沉積時間為18~24h,沉積完成后將玻璃基板在120℃干燥12h。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,在步驟4退火處理之前,重復步驟3.1若干次。
4.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,在步驟4退火處理之前,重復步驟3.1三至四次。
5.一種在玻璃基板上沉積致密鈦酸鍶鋇薄膜的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:配置前驅液溶液:將0.0002mol?Ba(NO3)2,0.0008mol?Sr(NO3)2,0.001mol(NH4)2TiF6,0.003mol?H3BO3分別放入4個燒杯中;然后向4個燒杯中分別加入去離子水,超聲波振蕩10min,振蕩后將四種溶液倒入一個燒杯中,定容至100ml;最后置于磁力攪拌器上攪拌10min,振蕩完后取下;滴加稀硝酸調節pH值為3.1,使溶液澄清透明即得前驅液溶液;
步驟2:將配置好的前驅液溶液聯同燒杯放入真空箱中,開啟真空泵,真空壓力調節為-0.2Kg/cm2,抽真空時間為45mins,至溶液沒有氣泡排出;
步驟3:將有OTS單分子膜的親水性玻璃基板放入步驟2處理后的前驅液溶液中進行薄膜的自組裝生長,沉積溫度為50℃,沉積時間為24h,沉積完成后將玻璃基板在120℃干燥12h;
步驟4:重復步驟1、2,將前面吸附有前驅液溶液的玻璃基板置于沒有氣泡的前驅液中,液相自組裝吸附薄膜,沉積溫度為50℃,沉積時間為24h,沉積完成后將玻璃基板在120℃干燥12h;重復以上過程三次;
步驟5:最后將沉積好的薄膜于600℃條件下進行2h的退火處理;得到致密的鈦酸鍶鋇薄膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于陜西科技大學,未經陜西科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210044202.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





