[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201210043853.4
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102629590A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 寧策;呂志軍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制備有源層薄膜和導電層薄膜；

在所述導電層薄膜上沉積源漏極層薄膜，對所述導電層薄膜和所述源漏極層薄膜采用灰色調或半色調掩膜工藝進行處理，得到至少兩條數據線、像素電極、薄膜晶體管TFT的源漏電極和溝道；所述陣列基板上一列TFT的源極與一條所述數據線連接；

沉積覆蓋所述有源層薄膜、源漏電極、數據線、像素電極的絕緣層薄膜后，在所述絕緣層薄膜上制備過孔、TFT的絕緣層，并得到TFT的有源層；每條所述數據線對應的區域內的選定位置處設置有所述過孔；

在所述絕緣層上制備TFT的柵電極和與所述數據線交叉的至少兩條柵極掃描線，所述陣列基板上一行TFT的柵電極與一條所述柵極掃描線連接。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上制備有源層薄膜和導電層薄膜，具體包括：

在所述基板上沉積氧化物薄膜；

對所述氧化物薄膜進行表面處理，在所述氧化物薄膜的表面形成一層導電層薄膜；導電層薄膜下方的未經處理的該部分氧化物薄膜為有源層薄膜。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，對所述氧化物薄膜進行表面處理，具體包括：

采用離子注入法或等離子體法對所述氧化物薄膜進行表面處理。

4.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于，沉積的所述氧化物薄膜的厚度為100-150nm；和/或處理后形成的所述導電層薄膜的厚度為50-100nm。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述導電層薄膜和所述源漏極層薄膜采用灰色調或半色調掩膜工藝進行處理，得到至少兩條數據線、像素電極、TFT的源漏電極和溝道，具體包括：

在所述源漏極層薄膜上涂覆光刻膠，采用灰色調或半色調掩模板對所述光刻膠曝光、顯影后，刻蝕所述導電層薄膜和所述源漏極層薄膜，得到至少兩條所述數據線、像素電極、TFT的源電極和溝道；

對曝光顯影后的光刻膠進行灰化處理；

刻蝕掉灰化處理后暴露出來的源漏極層薄膜，得到TFT的漏電極。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述絕緣層薄膜上制備過孔、TFT的絕緣層，并得到TFT的有源層，具體包括：

在沉積的所述絕緣層薄膜上涂覆光刻膠，對所述光刻膠曝光、顯影后，刻蝕所述絕緣層薄膜和所述有源層薄膜，得到過孔、TFT的絕緣層和有源層；其中，所述TFT的有源層位于所述柵極掃描線與所述數據線分割的區域內并且遍布整個所述區域。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，沉積的所述絕緣層薄膜的厚度為300-500nm。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述絕緣層上制備TFT的柵電極和與所述數據線交叉的至少兩條柵極掃描線，具體包括：

在所述絕緣層上沉積柵極層薄膜；

在所述柵極層薄膜上涂覆光刻膠，對所述光刻膠曝光、顯影后，刻蝕所述柵極層薄膜，得到TFT的柵電極和與所述數據線交叉的至少兩條柵極掃描線。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，沉積的所述源漏極層薄膜和/或所述柵極層薄膜的厚度為200-300nm。

10.一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板、交叉排列的數據線和柵極掃描線分割出的像素單元陣列，每條所述數據線連接一列薄膜晶體管TFT的源極，每條所述數據線對應的區域內的選定位置處設置有所述過孔，每條所述柵極掃描線連接一行TFT的柵極，其特征在于，每個所述像素單元包括：

位于所述基板上的TFT的有源層；

位于所述TFT的有源層上方的像素電極和TFT的溝道；

位于所述像素電極上方的數據線和TFT的源漏電極；

覆蓋數據線、溝道、TFT的源漏電極和有源層的TFT的絕緣層；

位于所述TFT的絕緣層上的TFT的柵電極。

11.如權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT的有源層位于所述柵極掃描線與所述數據線分割的像素單元的區域內并且遍布整個所述區域。