[發(fā)明專(zhuān)利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210043853.4
• 申請(qǐng)日: 2012-02-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102629590A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 寧策;呂志軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)

目前，在顯示器領(lǐng)域多采用平板顯示器，絕大多數(shù)的平板顯示器件都是有源矩陣液晶顯示器件(Active?Matrix/Organic?Liquid?Crystal?Display，AMLCD)。現(xiàn)有的AMLCD器件中包含薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)陣列基板，由于非晶硅a-Si易于實(shí)現(xiàn)在低溫下大面積制備，并且制備技術(shù)相對(duì)成熟，因此成為目前在制作TFT陣列基板時(shí)廣泛使用的材料。但是，a-Si材料的帶隙只有1.7V，對(duì)可見(jiàn)光不透明，而且在可見(jiàn)光范圍內(nèi)具有光敏性，因此就需要增加不透明金屬掩模板(黑矩陣)來(lái)阻擋光線，相應(yīng)的這就增加了TFT陣列基板制作工藝的復(fù)雜性，提高了成本，降低可靠性和開(kāi)口率；同時(shí)為了獲得足夠的亮度，就需要增加光源光強(qiáng)，相應(yīng)的增加了功率消耗。而且其遷移率很難超過(guò)1cm²·V^-1·s^-1，因此現(xiàn)有的TFT陣列基板很難滿(mǎn)足尺寸不斷增大的液晶電視和更高性能的驅(qū)動(dòng)電路的需求。

由于非晶硅TFT陣列基板具有上述缺陷，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管以其諸多優(yōu)勢(shì)受到廣泛的關(guān)注，近幾年發(fā)展相對(duì)迅速。氧化物半導(dǎo)體的遷移率高、均一性好、透明且制作工藝簡(jiǎn)單，可以更好地滿(mǎn)足大尺寸液晶顯示器的需求；并且，制作氧化物TFT與現(xiàn)有的LCD生產(chǎn)線匹配性好，容易轉(zhuǎn)型，因此氧化物TFT、備受人們的關(guān)注，已成為最近的研究熱點(diǎn)。

但是，現(xiàn)有技術(shù)在制作氧化物TFT陣列基板時(shí)，至少需要4次掩膜曝光工藝，制作工藝非常復(fù)雜，并且掩模板的成本較高，相應(yīng)的產(chǎn)品的制作成本提高，產(chǎn)品良率降低，設(shè)備產(chǎn)能降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的制作薄膜晶體管陣列基板的過(guò)程中掩模曝光次數(shù)過(guò)多導(dǎo)致的產(chǎn)品成本高、良品率低和設(shè)備產(chǎn)能低的問(wèn)題。

一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括：

在基板上制備有源層薄膜和導(dǎo)電層薄膜；

在所述導(dǎo)電層薄膜上沉積源漏極層薄膜，對(duì)所述導(dǎo)電層薄膜和所述源漏極層薄膜采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩膜工藝進(jìn)行處理，得到至少兩條數(shù)據(jù)線、像素電極、薄膜晶體管TFT的源漏電極和溝道；所述陣列基板上一列TFT的源極與一條所述數(shù)據(jù)線連接；

沉積覆蓋所述有源層薄膜、源漏電極、數(shù)據(jù)線、像素電極的絕緣層薄膜后，在所述絕緣層薄膜上制備過(guò)孔、TFT的絕緣層，并得到TFT的有源層；每條所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)的選定位置處設(shè)置有所述過(guò)孔；

在所述絕緣層上制備TFT的柵電極和與所述數(shù)據(jù)線交叉的至少兩條柵極掃描線，所述陣列基板上一行TFT的柵電極與一條所述柵極掃描線連接。

一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板、交叉排列的數(shù)據(jù)線和柵極掃描線分割出的像素單元陣列，每條所述數(shù)據(jù)線連接一列薄膜晶體管TFT的源極，每條所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)的選定位置處設(shè)置有所述過(guò)孔，每條所述柵極掃描線連接一行TFT的柵極，每個(gè)所述像素單元包括：

位于所述基板上的TFT的有源層；

位于所述TFT的有源層上方的像素電極和TFT的溝道；

位于所述像素電極上方的數(shù)據(jù)線和TFT的源漏電極；

覆蓋數(shù)據(jù)線、溝道、TFT的源漏電極和有源層的TFT的絕緣層；

位于所述TFT的絕緣層上的TFT的柵電極。

本發(fā)明有益效果如下：