[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201210043827.1
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102651379A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 本鄉悟史;谷田一真;堀哲浩;高橋健司;沼田英夫
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉瑞東;陳海紅

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

在第1基板的主表面上形成作為包含光電二極管的有源區域的光電二極管層的步驟；

在所述光電二極管層上，形成包含布線以及覆蓋該布線的絕緣層的布線層的步驟；

在所述布線層上形成絕緣膜的步驟；和

以使所述光電二極管層的晶體取向和第2基板的晶體取向一致的方式將所述第2基板接合到所述第1基板的所述絕緣膜的步驟。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述光電二極管層的晶體取向和第2基板的晶體取向一致的方向為<100>方向。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述光電二極管層的晶體取向和第2基板的晶體取向一致的方向為<110>方向。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成所述光電二極管層的步驟之后，形成所述布線層的步驟之前，在所述光電二極管層形成貫通電極的步驟。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成所述絕緣膜的步驟之后，所述接合步驟之前，

清潔所述第1基板以及所述第2基板的接合面的步驟；和

激活所述接合面的步驟。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述接合步驟之后，進行退火的步驟。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述接合步驟之后，減薄與所述第1基板的主表面相反側的面的步驟。

8.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述退火步驟之后，減薄與所述第1基板的主表面相反側的面的步驟。

9.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述第1基板是SOI晶片。

10.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述第1基板是SOI晶片。

11.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述第1基板是SOI晶片。

12.如權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述減薄步驟將所述SOI晶片所包含的BOX氧化膜作為蝕刻停止層。

13.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述第2基板是SOI晶片。

14.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

基板；

絕緣膜，其形成于所述基板的主表面上；

布線層，其形成于所述絕緣膜上，被絕緣層覆蓋；和

光電二極管層，其形成于所述布線層上，與所述基板的晶體取向一致。

15.如權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，

所述光電二極管層還具備貫通電極。

16.如權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，

所述晶體取向一致的方向為<100>方向。

17.如權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，

所述晶體取向一致的方向為<100>方向。

18.如權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，

所述晶體取向一致的方向為<110>方向。

19.如權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，

所述晶體取向一致的方向為<110>方向。

20.如權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述光電二極管層上具備反射防止膜、濾色器、微透鏡。