[發(fā)明專利]多層聚合物透鏡及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210043599.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103219343A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | V.奧加涅相 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 奧普蒂茲公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉春元;李家麟 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 聚合物 透鏡 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及透鏡,更具體地,涉及用在諸如蜂窩電話相機(jī)的移動(dòng)設(shè)備中的透鏡。
背景技術(shù)
CMOS圖像傳感器芯片典型地用在諸如蜂窩電話相機(jī)的移動(dòng)設(shè)備中以捕獲圖像(例如,蜂窩電話相機(jī)或視頻功能)。這些圖像傳感器通常非常小和緊湊,如果考慮到移動(dòng)設(shè)備的有限的尺寸和重量需要的話。圖像傳感器芯片包括用于將進(jìn)入的光聚焦在光傳感器上的一個(gè)或多個(gè)透鏡。光傳感器將進(jìn)入的光轉(zhuǎn)換為表示進(jìn)入的光形成的圖像的電子信號(hào)。
透鏡常常由玻璃或聚合物制成,并且典型地使用模制工藝進(jìn)行制造。例如,聚合物透鏡典型使用諸如沖壓、注射模制和傳遞模制的模制技術(shù)進(jìn)行制造。注射模制例如涉及將液體狀態(tài)下的聚合物注射到模型空腔中。隨后使聚合物冷卻,從而其固化成模型的形狀。隨后從模型去除具有透鏡的形式的聚合物。
模制透鏡易于批量生產(chǎn)。例如,使用流體狀態(tài)的材料同時(shí)注射多個(gè)模型,隨后進(jìn)行冷卻,導(dǎo)致了透鏡的同時(shí)形成。透鏡的質(zhì)量需要是高的和一致的。然而,由于透鏡變得越來越小,因此變得更加難于維持關(guān)于模制透鏡的質(zhì)量,因?yàn)殡y于形成具有準(zhǔn)確相同尺寸的多個(gè)模型。此外,模型可能隨時(shí)間而疲勞并且因此可能生產(chǎn)具有隨時(shí)間下降的質(zhì)量的透鏡。最后,注射模制透鏡是單片的,意味著通過模制透鏡實(shí)現(xiàn)的可能的光學(xué)性質(zhì)是有限的。多個(gè)單片透鏡可以堆疊以實(shí)現(xiàn)更加多樣化的光學(xué)性質(zhì),但是具有逐漸更大的整體尺寸和成本。
需要一種改進(jìn)的透鏡和制造技術(shù),用于制造提供優(yōu)于模制透鏡的卓越的質(zhì)量、均勻性和多樣的光學(xué)性能的透鏡,而不會(huì)添加相當(dāng)大的成本。
發(fā)明內(nèi)容
通過一種多層透鏡解決了前述問題和需要,該多層透鏡包括:基板,具有相對(duì)的第一和第二表面(其中基板由多個(gè)離散的聚合物層形成);以及空腔,被形成到第一表面中并且包括在基板中的非平面空腔表面,其中空腔延伸到多個(gè)聚合物層中的每個(gè)中。
在本發(fā)明的另一方面,一種形成透鏡的方法包括:形成第一聚合物層;在第一聚合物層的頂表面中形成第一空腔;在第一聚合物層的頂表面上形成第二聚合物層;以及在第二聚合物層的頂表面中形成第二空腔,第二空腔通過第二聚合物層延伸到第一空腔,其中第一和第二空腔一起包括非平面空腔表面。
在本發(fā)明的又一方面,一種形成透鏡的方法包括:形成第一聚合物層;在第一聚合物層的頂表面中形成第一空腔;變更第一空腔的側(cè)壁的形狀;在第一聚合物層的頂表面上形成第二聚合物層;在第二聚合物層的頂表面中形成第二空腔;以及變更第二空腔的側(cè)壁的形狀,其中第二空腔包括第一非平面空腔表面。
在本發(fā)明的再一方面,一種透鏡組件包括多個(gè)透鏡和材料層。多個(gè)透鏡中的每個(gè)包括具有相對(duì)的第一和第二表面以及外緣的基板,其中基板由多個(gè)離散的聚合物層形成,并且空腔被形成到第一表面中并且包括在基板中的非平面空腔表面,其中空腔延伸到該多個(gè)聚合物層中的每個(gè)。該多個(gè)透鏡堆疊在一起,使得多個(gè)透鏡中的相鄰?fù)哥R通過接合材料彼此固定。材料層在基板的外緣周圍和之間延伸。
通過查看說明書、權(quán)利要求和附圖,本發(fā)明的其他目的和特征將變得明顯。
附圖說明
圖1A至1K是依次示出了形成多層透鏡的步驟的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖2A至2N是依次示出了形成多層透鏡的替選實(shí)施例的步驟的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖3至4是多個(gè)堆疊的多層透鏡的透鏡組件的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖5是安裝在圖像傳感器組件上的(多個(gè)堆疊的多層透鏡的)透鏡組件的橫截面?zhèn)纫晥D。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明是一種多層透鏡及其制造方法。層的數(shù)目以及每個(gè)層的組成可以變化以實(shí)現(xiàn)透鏡的期望的光學(xué)性質(zhì)。
圖1A至1K圖示了用于制造多層透鏡的步驟序列。在該示例中,得到的透鏡將包括三個(gè)材料層。該工藝開始于提供平滑載體10(例如,聚四氟乙烯(Teflon)),其用作制造工藝期間的透鏡載體。作為非限制性示例,載體10可以是圓形的(直徑為6至12英寸),如圖1A中所示,側(cè)壁12從其上表面14向上延伸以包含上表面14上的透鏡材料。盡管優(yōu)選地同時(shí)在載體10上形成多個(gè)透鏡,但是為了簡(jiǎn)化,余下的圖圖示了在僅一部分載體10上的單個(gè)透鏡的形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





