[發明專利]多層聚合物透鏡及其制造方法有效
| 申請號: | 201210043599.8 | 申請日: | 2012-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN103219343A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | V.奧加涅相 | 申請(專利權)人: | 奧普蒂茲公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉春元;李家麟 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 聚合物 透鏡 及其 制造 方法 | ||
1.一種透鏡,包括:
基板,具有相對的第一表面和第二表面,其中所述基板由多個離散的聚合物層形成;以及
空腔,被形成到所述第一表面中并且包括在所述基板中的非平面空腔表面,其中所述空腔延伸到所述多個聚合物層中的每個中。
2.根據權利要求1所述的透鏡,其中所述多個聚合物層中的一個的組成不同于所述多個聚合物層中的另一個的組成。
3.根據權利要求1所述的透鏡,其中所述多個聚合物層中的每個限定所述非平面空腔表面的至少一部分。
4.根據權利要求1所述的透鏡,進一步包括:
多個對準標記,在所述第一表面和第二表面中的一個處形成。
5.根據權利要求4所述的透鏡,其中所述多個對準標記中的每個包括從所述第一表面和第二表面中的一個延伸的突起。
6.根據權利要求4所述的透鏡,其中所述多個對準標記中的每個包括被形成到所述第一表面和第二表面中的一個中的空腔。
7.一種形成透鏡的方法,包括:
形成第一聚合物層;
在所述第一聚合物層的頂表面中形成第一空腔;
在所述第一聚合物層的頂表面上形成第二聚合物層;以及
在所述第二聚合物層的頂表面中形成第二空腔,所述第二空腔通過所述第二聚合物層延伸到所述第一空腔;
其中所述第一空腔和第二空腔一起包括非平面空腔表面。
8.根據權利要求7所述的方法,其中所述第一聚合物層的組成不同于所述第二聚合物層的組成。
9.根據權利要求7所述的方法,其中所述第一聚合物層和第二聚合物層中的每個限定所述非平面空腔表面的至少一部分。
10.根據權利要求7所述的方法,進一步包括:
在形成所述第二聚合物層之前使用材料填充所述第一空腔。
11.根據權利要求7所述的方法,進一步包括:
在所述第二聚合物層的頂表面或者所述第一聚合物層的底表面處形成多個對準標記。
12.根據權利要求11所述的方法,其中所述多個對準標記中的每個包括突起和空腔中的至少一個。
13.根據權利要求7所述的方法,進一步包括:
在所述第二聚合物層的頂表面上形成第三聚合物層;以及
在所述第三聚合物層的頂表面中形成第三空腔,其通過所述第三聚合物層延伸到所述第二空腔;
其中所述第一空腔、第二空腔和第三空腔一起限定了所述非平面空腔表面。
14.根據權利要求13所述的方法,其中所述第一聚合物層、第二聚合物層和第三聚合物層中的一個的組成不同于所述第一聚合物層、第二聚合物層和第三聚合物層中的另一個的組成。
15.根據權利要求13所述的方法,其中所述第一聚合物層、第二聚合物層和第三聚合物層中的每個限定所述非平面空腔表面的至少一部分。
16.根據權利要求13所述的方法,進一步包括:
在形成所述第二聚合物層之前使用第一材料填充所述第一空腔;以及
在形成所述第三聚合物層之前使用第二材料填充所述第二空腔。
17.根據權利要求13所述的方法,進一步包括:
在所述第三聚合物層的頂表面或者所述第一聚合物層的底表面處形成多個對準標記。
18.根據權利要求17所述的方法,其中所述多個對準標記中的每個包括突起和空腔中的至少一個。
19.一種形成透鏡的方法,包括:
形成第一聚合物層;
在所述第一聚合物層的頂表面中形成第一空腔;
變更所述第一空腔的側壁的形狀;
在所述第一聚合物層的頂表面上形成第二聚合物層;
在所述第二聚合物層的頂表面中形成第二空腔;以及
變更所述第二空腔的側壁的形狀;
其中所述第二空腔包括第一非平面空腔表面。
20.根據權利要求19所述的方法,其中所述第一聚合物層的組成不同于所述第二聚合物層的組成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于奧普蒂茲公司,未經奧普蒂茲公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210043599.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:生物降解性樹脂組合物
- 下一篇:液體霧化裝置和液體霧化方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





