[發(fā)明專利]一種橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210043445.9
• 申請日: 2012-02-24
• 公開（公告）號: CN103296081A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳孝嘉;韓廣濤
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/40
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 唐立;王忠忠

1.一種LDMOS（20），包括：

?源區(qū)（210），

柵介質(zhì)層（230），

漏區(qū)（220），

設(shè)置在所述漏區(qū)（220）和柵介質(zhì)層（230）之間的漂移區(qū)，

設(shè)置在所述漂移區(qū)之上的場氧化層（240），以及

柵極（231）；

其特征在于，所述柵極包括對應(yīng)設(shè)置在所述柵介質(zhì)層之上的第一部分（230a）和從所述第一部分延伸至部分所述場氧化層之上的第二部分（230b）；所述第二部分（230b）在溝道方向的第二長度（L3）被設(shè)置為小于預(yù)定長度值（L2）以減小所述LDMOS的柵-漏電容；

其中，所述LDMOS的崩潰電壓隨所述第二長度（L3）的變化而變化，所述LDMOS的柵極的第二部分（230b）的長度如果被設(shè)置為等于所述預(yù)定長度值（L2）時，所述LDMOS的崩潰電壓能夠基本達(dá)到最大崩潰電壓值；

并且，所述LDMOS還包括設(shè)置在場氧化層（240）之上的用于提高LDMOS的崩潰電壓的場區(qū)輔助電極（250）。

2.如權(quán)利要求1所述的LDMOS，其特征在于，通過設(shè)置所述場區(qū)輔助電極（250）在溝道方向的長度（L4）以使所述LDMOS的崩潰電壓基本等于最大崩潰電壓值。

3.如權(quán)利要求1或2所述的LDMOS，其特征在于，所述場區(qū)輔助電極（250）在溝道方向的長度（L4）基本等于所述預(yù)定長度值（L2）減去所述第二長度（L3）和所述場區(qū)輔助電極（250）相對所述第二部分（230b）的間距（d）之后所得的值。

4.如權(quán)利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述第二長度（L3）等于所述預(yù)定長度值（L2）的10%至90%。

5.如權(quán)利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述第二長度（L3）等于所述預(yù)定長度值（L2）的30%。

6.如權(quán)利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述LDMOS形成于第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底（200）之上；

所述LDMOS還包括：

形成在所述半導(dǎo)體襯底（200）中的第一導(dǎo)電類型的第一阱（201）；

形成在所述半導(dǎo)體襯底（200）中的第二導(dǎo)電類型的第二阱（202）。

7.如權(quán)利要求6所述的LDMOS，其特征在于，所述源區(qū)（210）形成于所述第一阱（201）中，所述漏區(qū)（220）形成于所述第二阱（202）中。

8.如權(quán)利要求6或7所述的LDMOS，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。

9.如權(quán)利要求1或2所述的LDMOS，其特征在于，所述場區(qū)輔助電極（250）接地。

10.?如權(quán)利要求9所述的LDMOS，其特征在于，所述場區(qū)輔助電極（250）的被設(shè)置在相對靠近所述漏區(qū)（230）一側(cè)的所述場氧化層（240）之上。

11.如權(quán)利要求1或2所述的LDMOS，其特征在于，所述LDMOS應(yīng)用于開關(guān)式電源管理芯片。