[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210043162.4
• 申請(qǐng)日: 2008-04-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102543771A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武藤邦治;波多俊幸;佐藤仁久;岡浩偉;池田靖
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/50;H01L21/60;H01L23/495
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 杜娟

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包含以下步驟：

a.提供引線框，所述引線框包括芯片安裝部、源極引線和柵極引線，其中所述芯片安裝部、所述源極引線和所述柵極引線各自電隔離；

b.提供半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片包括功率MOSFET、正表面和與所述正表面相反的背表面，

其中，源電極焊盤(pán)和柵電極焊盤(pán)形成于所述正表面上，并且

其中，漏電極形成于所述背表面上；

c.將所述半導(dǎo)體芯片安裝在所述芯片安裝部的頂表面上，并將所述半導(dǎo)體芯片的所述漏電極與所述芯片安裝部電連接；

d.使用第一鍵合工具將金屬帶電連接到所述半導(dǎo)體芯片的源電極焊盤(pán)并且電連接到所述引線框的所述源極引線；以及

e.在步驟d之后，使用第二鍵合工具將金屬線電連接到所述半導(dǎo)體芯片的柵電極焊盤(pán)并且電連接到所述引線框的所述柵極引線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在步驟d中，所述金屬帶與所述半導(dǎo)體芯片的源電極焊盤(pán)的連接進(jìn)行兩次或更多次。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在所述半導(dǎo)體芯片的源電極焊盤(pán)上形成所述金屬帶與所述半導(dǎo)體芯片的源電極焊盤(pán)的多個(gè)連接部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述多個(gè)連接部中的每一個(gè)的寬度基本相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一鍵合工具的振蕩能大于第二鍵合工具的振蕩能。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，經(jīng)由Ag漿料將所述半導(dǎo)體芯片安裝到所述芯片安裝部的頂表面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，還包括如下步驟：

f.使用模制樹(shù)脂密封所述半導(dǎo)體芯片、所述芯片安裝部的一部分、所述源極引線的一部分、所述柵極引線的一部分、所述金屬帶和所述金屬線；和

g.從所述引線框切割所述源極引線的所述一部分和所述柵極引線的所述一部分中的每一個(gè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，

其中，密封所述芯片安裝部以使得所述芯片安裝部的與所述頂表面相反的底表面從所述模制樹(shù)脂暴露。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，

其中，所述引線框具有漏極引線，該漏極引線耦合到所述芯片安裝部，并且

其中，所述半導(dǎo)體芯片的漏電極電連接到所述漏極引線。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，

其中，所述源極焊盤(pán)的面積大于所述柵極焊盤(pán)的面積。