[發明專利]一種硅棒表面處理方法

無效

• 申請號: 201210042285.6
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102581771A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 姚小威;高曉舵;張泰運;張楊;劉永生;吳劍樞;王黨衛
• 申請（專利權）人: 上海超日（洛陽）太陽能有限公司
• 主分類號: B24C1/00
• 分類號: B24C1/00;B24C7/00;B24C9/00;B24C11/00;B24C5/02
• 代理公司: 洛陽市凱旋專利事務所 41112
• 代理人: 陸君

1.一種硅棒表面處理方法，其特征是：所述的方法為：使用1.5～4.5kg壓力的氣壓噴槍將800～1500目的微粒物質由30～75度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為15～45分鐘；所述微粒物質的硬度大于硅的硬度。

2.根據權利要求1所述的硅棒表面處理方法，其特征是：所述的方法為：使用2.5kg壓力的氣壓噴槍將800目的碳化硅微粒由40度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20分鐘。

3.?根據權利要求1所述的硅棒表面處理方法，其特征是：所述的方法為：使用2.5kg壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20分鐘。

4.根據權利要求1所述的硅棒表面處理方法，其特征是：所述的方法為：使用3.5kg壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由70度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為30分鐘。

5.根據權利要求1所述的硅棒表面處理方法，其特征是：所述的方法為：使用4kg壓力的氣壓噴槍將1500目的金剛砂微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為35分鐘。

6.根據權利要求1～5任一所述的硅棒表面處理方法，其特征是：先將需要處理的硅棒穩定的放置在一上部連通抽吸裝置，且一側器壁上部設有開口的防護容器內，再將能夠噴射微粒物質的氣壓噴槍的噴嘴由防護容器的開口對準硅棒的表面進行噴射；噴射過程中通過打開的抽吸裝置將噴射出的微粒物質進行收集以備再次利用。

7.?根據權利要求6所述的硅棒表面處理方法，其特征是：所述的防護容器尺寸為300mm×120mm×100mm。

8.根據權利要求1或6所述的硅棒表面處理方法，其特征是：所述方法中使用的微粒物質為碳化硅或金剛砂。

9.根據權利要求1～5任一所述的硅棒表面處理方法，其特征是：所述的氣壓噴槍工作時是通過注入噴槍后部的氣壓將注入噴槍中部的微粒物質由噴槍的噴嘴噴射而出。