[發明專利]一種硅棒表面處理方法無效

申請號：	201210042285.6	申請日：	2012-02-23
公開（公告）號：	CN102581771A	公開（公告）日：	2012-07-18
發明（設計）人：	姚小威;高曉舵;張泰運;張楊;劉永生;吳劍樞;王黨衛	申請（專利權）人：	上海超日（洛陽）太陽能有限公司
主分類號：	B24C1/00	分類號：	B24C1/00;B24C7/00;B24C9/00;B24C11/00;B24C5/02
代理公司：	洛陽市凱旋專利事務所 41112	代理人：	陸君
地址：	471900***	國省代碼：	河南;41
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種表面處理方法
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【說明書】：

【技術領域】

本發明涉及硅棒表面處理技術領域，尤其是涉及一種能夠提高硅片切割良率的硅棒表面處理方法。

【背景技術】

公知的，在太陽能行業中，硅棒開方后會產生損傷層，在切片過程中或者脫膠時損傷層處的硅粒容易脫落或粘到膠層上，從而造成崩邊，這不但會導致切出的硅片不能被正常應用，而且還嚴重到影響切片質量，給生產制造方增加了經濟負擔；鑒于硅棒損傷層的深淺與切出的硅片邊緣質量的好壞有著密不可分的聯系，因此，太陽能行業中均采用相應的硅棒表面處理技術來減少硅棒開方后所產生的損傷層，從而以盡可能多的獲取合格的硅片；

目前，硅棒表面的處理辦法主要分為物理法和化學法兩種：物理法就是使用一定目數的磨輪，一般選用300目～750目之間的磨輪來對硅棒表面進行磨削打平；這種方法雖然能夠有效去除硅棒開方后產生的線痕，獲得到整體平整度在300um以內的硅棒表面，但是卻容易產生深度在20um～30um之間的損傷層，且磨頭在硅棒表面留下的圓弧狀劃痕很難徹底清除；化學法則是把硅棒放置在能夠與硅反應的HF或濃H2SO4等高強酸中，使硅棒表面與酸發生反應，并利用硅棒表面損傷層硅結構和晶體硅反應速度的差異來去除損傷層；化學法雖然能夠將硅棒表面的損傷層控制在10um以內，但是卻易于在硅棒表面產生高低不平的腐蝕坑，使硅棒表面的整體平整度較差，從而不但不利于后續的粘棒操作，而且還導致切出的硅片邊緣存在有明顯的凸凹感，同時，高強酸的高腐蝕性和強酸性在一定程度上也限制了這種化學處理法在工業生產領域中的廣泛應用；

綜上所述，目前還沒有一種即能有效控制硅棒表面損傷層的深度，又能獲得平整度較高的硅棒表面處理方法。

【發明內容】

為了克服背景技術中的不足，本發明公開一種硅棒表面處理方法，所述的方法即能有效控制硅棒表面損傷層的深度，又能獲得平整度較高的硅棒表面。

為實現上述發明目的，本發明采用如下技術方案：

一種硅棒表面處理方法，所述的方法為：使用1.5～4.5kg壓力的氣壓噴槍將800～1500目的微粒物質由30～75度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為15～45分鐘；所述微粒物質的硬度大于硅的硬度。

所述的硅棒表面處理方法，所述的方法為：使用2.5kg壓力的氣壓噴槍將800目的碳化硅微粒由40度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20分鐘。

所述的硅棒表面處理方法，所述的方法為：使用2.5kg壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20分鐘。

所述的硅棒表面處理方法，所述的方法為：使用3.5kg壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由70度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為30分鐘。

所述的硅棒表面處理方法，所述的方法為：使用4kg壓力的氣壓噴槍將1500目的金剛砂微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為35分鐘。

所述的硅棒表面處理方法，先將需要處理的硅棒穩定的放置在一上部連通抽風裝置，且在一側器壁上部設有開口的防護容器內，再將能夠噴射微粒物質的氣壓噴槍的噴嘴由防護容器的開口對準硅棒的表面進行噴射；噴射過程中利用打開的抽風裝置將噴射出的微粒物質進行收集以備再次利用。

所述的硅棒表面處理方法，所述的防護容器尺寸為300mm×120mm×100mm。

所述的硅棒表面處理方法，所述方法中使用的微粒物質為碳化硅或金剛砂。