[發明專利]發光器件封裝件

無效

• 申請號: 201210042197.6
• 申請日: 2012-02-22
• 公開（公告）號: CN102651445A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 金源晙;韓盛淵;金龍錫;權宰郁;崔升雅;崔明壽
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張天舒

相關申請的交叉引用

本申請要求2011年2月22日在韓國知識產權局所提交的韓國專利申請第10-2011-0015483號的優先權，該在先韓國專利申請的全部內容以引用的方式并入本文。

技術領域

本發明涉及發光器件封裝件，具體而言，涉及這樣的發光器件封裝件，其具有能夠防止樹脂材料老化的功能和優越的熱輻射屬性并且考慮了光效率的改進。

背景技術

通常，發光二極管(LED)(一種半導體發光器件)是一種能夠發出具有各種顏色的光的半導體器件，其發光是通過當施加電流時電子與電子空穴在P型半導體和N型半導體之間的結處的再結合實現的。

發光二極管(LED)的優點在于其不妨礙生態環境、允許以幾個納秒的響應速率進行高速響應從而在視頻信號流中有效、允許脈沖驅動、具有100％或更高的色彩再現性、并且能夠通過調整紅色、綠色或藍色發光二極管芯片的光量來光學地改變亮度、色溫等等。

在近些年當中，使用氮化物半導體的發光二極管已經被用作白色光源并且已經在諸如鍵盤、背光、交通信號、機場跑道中的引導光、照明燈泡等各種領域中被采用。由于發光二極管芯片的用途被如此改變，所以發光器件封裝件的重要性已經凸顯。

具體而言，對于發光器件封裝件把從發光器件產生的熱有效地發出到外部的需求已經增加。這是因為密封了發光器件的樹脂封裝部件和形成封裝件體的注入樹脂會在發光器件所發出的熱沒有被有效地發出到外部的情況下發生退化。這種退化在高輸出的發光器件中會更加嚴重。

另外，在普通的封裝件結構中，會在由注入樹脂制成的封裝件體中模塑引線框架，并且由注入樹脂制成的封裝件體的內壁會作為反射膜。

然而，由于注入樹脂具有對短波長的光或對熱敏感的特性，所以注入樹脂的化學屬性會變化并且其特性會被諸如紫外線光之類的短波長的光所改變。

即，在普通的封裝件結構中，從發光器件產生的光在直接照射在封裝件結構的樹脂內壁上時會使得由樹脂制成的內壁退化和褪色，由此反射作用會降低從而使得發光器件的可靠性下降。

與此同時，由于樹脂表面的老化會隨著光源輸出的增加而相對地加快，所以已經對能夠應用于高輸出的發光器件的封裝件結構有所需求。

發明內容

本發明的一個方面提供了一種具有改進的可靠性的發光器件封裝件，這是通過有效地發出從發光器件產生的熱來實現的。

本發明的一個方面還提供了一種具有改進的光效率的發光器件封裝件，這是通過防止由于從發光器件發出的側光所引起的樹脂的老化和褪色從而允許增加光反射性來實現的。

本發明的一個方面還提供了一種能夠防止電氣故障的出現的發光器件封裝件，所述電氣故障是在樹脂封裝部件的密封期間由導線被壓迫從而與引線框架相接觸所引起的。

根據本發明的一個方面，提供一種發光器件封裝件，其包括：封裝件體；第一引線框架，其被耦接至所述封裝件體并且包括具有暴露面的第一凹陷，所述第一凹陷具有在該第一凹陷中向下凹進而形成的芯片安裝區域，其中所述芯片安裝區域的底表面的至少一部分被暴露于所述封裝件體的底表面；第二引線框架，其被耦接至所述封裝件體以便離開所述第一引線框架預定的距離，并且所述第二引線框架包括具有暴露面的第二凹陷，所述第二凹陷的暴露面與所述第一凹陷的暴露面相對；以及至少一個發光器件，其被安裝在所述第一引線框架的芯片安裝區域上并且與所述第一引線框架和所述第二引線框架電連接。

所述第一引線框架的芯片安裝區域可以具有在其中形成的側壁作為反射表面。

可以將所述芯片安裝區域的側壁形成為傾斜的。

所述第一引線框架和所述第二引線框架的側壁可以從所述第一凹陷和所述第二凹陷的底表面向上彎曲以形成反射表面。

所述第一引線框架和所述第二引線框架的側壁從所述第一凹陷和所述第二凹陷的底表面向上彎曲以形成階梯部件，所述側壁形成傾斜的反射表面。

可以將所述階梯部件的至少一部分形成為從所述封裝件體暴露。

所述芯片安裝區域可以具有預定高度，使得防止從所述發光器件的側表面發出的光照射在所述封裝件體的內壁上。

所述第一凹陷和所述第二凹陷可以具有預定高度，使得防止從所述發光器件的側表面發出的光照射在所述封裝件體的內壁上。

所述第一引線框架和所述第二引線框架可以通過在其間形成的所述封裝件體的絕緣部件而電隔離。

所述發光器件封裝件還可以包括將所述第二凹陷的底表面與所述發光器件電連接的導線。

所述第二凹陷的頂表面上安裝有齊納二極管。