[發明專利]一種阻變存儲器的制備方法無效
| 申請號： | 201210041447.4 | 申請日： | 2012-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN102593352A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 黃如;譚勝虎;張麗杰;潘岳;黃英龍;楊庚宇;唐昱;毛俊;蔡一茂 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 賈曉玲 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 存儲器 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種阻變存儲器的制備方法，其包括如下步驟：
1)在襯底上制備底電極。
2)采用干氧氧化或濕氧氧化對底電極金屬進行部分氧化，形成厚度為3nm-50nm的金屬氧化物，所述金屬氧化物層作為阻變材料層；
3)在上述阻變材料層上制備頂電極。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，底電極和頂電極是采用PVD方法或其它IC工藝中的成膜方法制備。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述底電極材料為W電極、Ta電極、Ti電極、Al電極、Y電極、Hf電極。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述底電極金屬的厚度范圍為100nm-300nm。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述頂電極為Pt電極、TiN電極、Cu電極或者Ag電極。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述頂電極上面加有保護電極，保護電極為鉑、鈦或者金。
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