[發(fā)明專利]圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210041018.7 | 申請日: | 2012-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN102569324B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王之奇;俞國慶;王琦;喻瓊;王蔚 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 215026 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片封裝領(lǐng)域,特別涉及圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。
背景技術(shù)
隨著圖像傳感器的尺寸越來越小,焊墊數(shù)目不斷增多,焊墊間距越來越窄,相應(yīng)地,對圖像傳感器封裝提出了更高的要求。
傳統(tǒng)的圖像傳感器封裝方法通常是采用引線鍵合(Wire?Bonding)進行封裝,但隨著集成電路的飛速發(fā)展,較長的引線使得產(chǎn)品尺寸無法達到理想的要求,因此,晶圓級封裝(Wafer?Level?Package,WLP)逐漸取代引線鍵合封裝成為一種較為常用的封裝方法。在公開號為US2008/0157312A1的美國專利文件中,可以發(fā)現(xiàn)更多有關(guān)晶圓級封裝的資料,請參考圖1,現(xiàn)有的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)1包括:襯底2,所述襯底2內(nèi)具有貫穿所述襯底2的導電插塞20,所述導電插塞20靠近襯底2的第一表面形成有第一金屬層21,所述導電插塞20靠近襯底2的第二表面形成有第二金屬層22;所述襯底2內(nèi)還具有凹槽,所述凹槽作為圖像傳感器芯片容納部;位于所述凹槽側(cè)壁的導電層7;位于凹槽內(nèi)的待封裝的圖像傳感器芯片6,所述待封裝的圖像傳感器芯片6表面形成有微透鏡60;位于所述凹槽的側(cè)壁、底面與待封裝的芯片6之間的黏膠層5,用于固定待封裝的圖像傳感器芯片6;位于所述待封裝的圖像傳感器芯片6表面的接觸電極61,所述接觸電極61通過互連線9與第一金屬層21電連接,使得所述圖像傳感器芯片6通過第二金屬層22可與PCB板電連接;位于所述襯底2、待封裝的圖像傳感器芯片6部分表面的介質(zhì)層8;位于所述介質(zhì)層8表面且覆蓋所述微透鏡60的覆蓋層4。
請參考圖2,在現(xiàn)有技術(shù)中,所述晶圓級封裝結(jié)構(gòu)1還需通過倒裝芯片(Flip?Chip)的工藝步驟將圖1中的第二金屬層22與PCB板50上的焊接點55進行焊接從而實現(xiàn)芯片與PCB板的電連接。
但現(xiàn)有技術(shù)的封裝結(jié)構(gòu)形成工藝較為復(fù)雜,而且體積較大,隨著圖像傳感器變得越來越小,現(xiàn)有技術(shù)的封裝結(jié)構(gòu)不利于產(chǎn)品的小型化。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法,使得封裝后產(chǎn)品的尺寸變得更小,且簡化了工藝流程,提高了產(chǎn)品的可靠性。
為解決上述問題,本發(fā)明實施例提供了一種圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu),包括:
待封裝芯片,所述待封裝芯片具有感光區(qū)以及位于感光區(qū)周圍的第一焊墊;
位于所述待封裝芯片表面的PCB板,所述PCB板具有貫穿所述PCB板的第一開口和位于所述第一開口周圍的第二焊墊,所述第一開口暴露出待封裝芯片的感光區(qū),所述第二焊墊與第一焊墊相連接。
可選的,還包括,所述PCB板上與第二焊墊所在的表面相對的第二表面形成有鏡頭組件。
可選的,所述鏡頭組件包括透鏡和透鏡支架。
可選的,所述透鏡的位置對應(yīng)于PCB板的第一開口的位置。
可選的,所述透鏡的尺寸大于或等于所述第一開口的尺寸。
可選的,所述PCB板和鏡頭組件之間具有電阻、電感、電容、集成電路塊或光學組件。
可選的,所述第一開口的尺寸大于或等于所述感光區(qū)的尺寸。
可選的,所述第一焊墊與第二焊墊的位置相對應(yīng)。
可選的,所述第一焊墊位于感光區(qū)的四個側(cè)邊,對應(yīng)的,所述第二焊墊位于所述第一開口的四個側(cè)邊。
可選的,所述第一焊墊位于感光區(qū)的兩側(cè),對應(yīng)的,所述第二焊墊位于所述第一開口的兩側(cè)。
可選的,所述第二焊墊與第一焊墊通過第二焊墊上的焊接凸點相連接。
可選的,當所述第一焊墊的材料為Al,所述焊接凸點的材料為Au,通過超聲熱壓方式將第一焊墊與所述焊接凸點相連接。
可選的,當所述第一焊墊的材料為Au,所述焊接凸點的材料為Sn,通過共晶鍵合方式將第一焊墊與所述焊接凸點相連接。
可選的,所述待封裝芯片的感光區(qū)內(nèi)形成有圖像傳感器單元。
可選的,所述圖像傳感器單元表面形成有微透鏡。
本發(fā)明實施例還提供了一種圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,包括:
提供待封裝芯片和PCB板,所述待封裝芯片具有感光區(qū)以及位于感光區(qū)周圍的第一焊墊,所述PCB板具有貫穿所述PCB板的第一開口和位于所述第一開口周圍的第二焊墊;
將所述第一焊墊和第二焊墊相對放置并進行對準,使得所述PCB板的第一開口暴露出待封裝芯片的感光區(qū);
將所述第一焊墊和第二焊墊進行焊接,從而將待封裝芯片和PCB板封裝在一起。
可選的,還包括,在所述PCB板上與第二焊墊所在的表面相對的第二表面形成鏡頭組件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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