[發明專利]RC觸發ESD保護器件

有效

• 申請號: 201210040054.1
• 申請日: 2012-02-20
• 公開（公告）號: CN102882198A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 劉燕霖;陳國基;楊子毅
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00;H02H9/04
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種器件，包括：

本征n型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管，連接在第一電壓電勢和電容器的第一端之間；

電阻元件，連接在所述第一電壓電勢和所述電容器的第一端之間；以及

所述電容器，具有連接至第二電壓電勢的第二端。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述電容器通過并聯連接的多個金屬氧化物半導體(MOS)電容器形成。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述電阻元件包括串聯連接的多個p型金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管，所述多個p型金屬氧化物半導體晶體管中的每一個都具有連接至所述第二電壓電勢的柵極，并且

進一步包括：電阻器，連接在所述多個PMOS晶體管的柵極和所述第二電壓電勢之間。

4.根據權利要求1所述的器件，其中，所述電阻元件包括串聯連接的多個NMOS晶體管，所述多個NMOS晶體管中的每一個都具有連接至所述第一電壓電勢的柵極，并且

進一步包括：電阻器，連接在所述多個NMOS晶體管的柵極和所述第一電壓電勢之間。

5.一種系統，包括：

放電晶體管，連接在第一電壓電勢和第二電壓電勢之間；

驅動電路，生成提供到所述放電晶體管的柵極端的輸出信號；以及

觸發器件，具有連接至所述驅動電路的輸出端，包括：

本征n型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管，連接在所述第一電壓電勢和電容器的第一端之間；

電阻元件，連接在所述第一電壓電勢和所述電容器的第一端之間；以及

所述電容器，具有連接至所述第二電壓電勢的第二端。

6.根據權利要求5所述的系統，其中，所述放電晶體管包括并聯連接的多個NMOS晶體管，并且

其中，所述驅動電路包括串聯連接的奇數個反相器。

7.根據權利要求5所述的系統，其中，所述放電晶體管包括并聯連接的多個p型金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管，并且

其中，所述驅動電路包括串聯連接的偶數個反相器。

8.一種靜電放電(ESD)箝位器，包括：

電阻電容(RC)觸發電路，包括：

電容器，由多個金屬氧化物半導體(MOS)電容器形成；以及

電阻元件，包括多個MOS晶體管和多個本征晶體管，其中，所述多個本征晶體管與所述多個MOS晶體管并聯連接；

驅動電路，從所述RC觸發電路接收ESD保護信號；以及

放電晶體管，具有連接至所述驅動電路的輸出端的柵極。

9.根據權利要求8所述的ESD箝位器，其中，所述放電晶體管、所述RC觸發電路、以及所述驅動電路連接在第一電壓電勢和第二電壓電勢之間，并且

其中，所述觸發電路、所述驅動電路、以及所述放電晶體管被配置為使得：

當ESD尖峰信號被施加至所述第一電壓電勢時，電流從所述第一電壓電勢流過所述放電晶體管，直至所述第二電壓電勢；并且

當所述ESD箝位器處于上電操作時，所述放電晶體管截止。

10.根據權利要求8所述的ESD箝位器，其中，

當所述放電晶體管包括并聯連接的多個n型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管時，所述驅動電路包括奇數個反相器；并且

當所述放電晶體管包括并聯連接的多個p型金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管時，所述驅動電路包括偶數個反相器。