[發明專利]一種精確測量WEE寬度的方法

無效

• 申請號: 201210039478.6
• 申請日: 2012-02-21
• 公開（公告）號: CN102591158A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 劉波波;王省蓮;白俊春;李培咸;廉大楨;閆秋迎;王旭明;郭遲;王曉波;孟錫俊;黃兆斌;張翼
• 申請（專利權）人: 西安中為光電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 西安智大知識產權代理事務所 61215
• 代理人: 弋才富

技術領域

本發明屬于晶片邊界排除技術領域，具體涉及一種精確測量WEE寬度的方法。

背景技術

由于工藝局限，晶片邊緣往往缺陷很高，在晶片邊緣的圖形很容易形成缺陷源，因此在涂膠后需要去除晶片邊緣特定寬度的膠。WEE是Wafer?Edge?Exclusion(晶片邊界排除)的簡稱，其過程是將圓片邊緣特定寬度區域內的光刻膠采用曝光顯影的方式去除，并且各個光刻工藝層次的WEE的寬度是不一致的，WEE的準確度直接影響到圓片上的有效面積，即圓片上實際可產出的管芯數目，因此需要準確控制。

目前，WEE寬度的測量方法主要有兩種，一種是利用目鏡帶有標尺的顯微鏡進行測量，另一種是用尺直接測量，帶有標尺的顯微鏡不是每一家半導體生產廠家都配備的，其使用范圍受限。WEE的設計精度為0.1毫米，因此用尺直接測量顯然不準確，其測試誤差至少有0.5毫米。

發明內容

為了克服上述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種精確測量WEE寬度的方法，該方法解決了現有技術中測試誤差大的問題，具有測量精度高的特點。

為了達到上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種精確測量WEE寬度的方法，包括如下步驟：

步驟1：將光刻機擋板設置在需曝光使用的光刻對位標記上；

步驟2：將光刻對位標記依次曝光放置在晶片邊緣，放置要求如下：

1)光刻對位標記的放置位置至少為上下左右四個位置；

2)各相鄰光刻對位標記互相錯開；

3)各相鄰光刻對位標記間的間距為0，即光刻機的步進距離為光刻對位標記尺寸；

4)最外側光刻對位標記距晶片邊緣距離小于0.5毫米；

步驟3：經WEE后，根據WEE分界線1和晶片邊緣3之間的WEE分界線外顯影后不存在的圖形2曝光的布局數據和顯影后保存的完整光刻對位標記個數及是否包含不完整光刻對位標記，計算WEE寬度，光刻對位標記數量采用進一法，不足一個完整光刻對位標記的按一個計算，具體計算公式為公式1和公式2：

當WEE后，光刻對位標記均為完整圖形時，計算公式如公式1：

WEE寬度＝光刻對位標記寬度×WEE后完整光刻對位標記個數+光刻對位標記距離×光刻對位標記間距個數????????????1

當WEE后，光刻對位標記包含不完整圖形時，計算公式如公式2：

WEE寬度＝光刻對位標記寬度×(WEE后完整光刻對位標記個數+1)+光刻對位標記距離×光刻對位標記間距個數????????????2

曝光使用的光刻對位標記滿足如下條件：

曝光使用的光刻對位標記包含周期性的重復圖形，以便根據圖形數目判斷不完整光刻對位標記的寬度或高度；

WEE的精度為0.1毫米，因此光刻對位標記中重復圖形的周期需滿足該精度要求，實際可使用的尺寸為8-40微米；

不完整光刻對位標記中保留的重復圖形的數目是在顯微鏡下識別的，因此其最小圖形應可以被光學顯微鏡識別，最小尺寸大于2微米。

本發明方法和現有技術相比，具有如下優點：

1、本發明是采用在邊緣曝光圖形的方法來確認WEE的寬度，用于判斷WEE寬度的圖形在顯微鏡下可以觀察到，且其尺寸遠小于WEE的精度，保證了測試的準確性。

2、本發明的實施不受半導體生產線的條件限制，利用現有資源就可以測定WEE寬度。

附圖說明

圖1是實施例1WEE后示意圖。

圖2是實施例2WEE后示意圖。

圖3是實施例3WEE后示意圖。

附圖標記：1——WEE分界線；2——WEE分界線外顯影后不存在的圖形；3——晶片邊緣；

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細說明。

實施例1：

步驟1：將光刻機擋板設置在需曝光使用的光刻對位標記上；

步驟2：將光刻對位標記依次曝光放置在晶片邊緣，放置要求如下：

1)光刻對位標記的放置位置至少為上下左右四個位置；

2)各相鄰光刻對位標記互相錯開；

3)各相鄰光刻對位標記間的間距為0，即光刻機的步進距離為光刻對位標記尺寸；

4)最外側光刻對位標記距晶片邊緣距離小于0.5毫米；