[發明專利]一種精確測量WEE寬度的方法

無效

• 申請號: 201210039478.6
• 申請日: 2012-02-21
• 公開（公告）號: CN102591158A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 劉波波;王省蓮;白俊春;李培咸;廉大楨;閆秋迎;王旭明;郭遲;王曉波;孟錫俊;黃兆斌;張翼
• 申請（專利權）人: 西安中為光電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 西安智大知識產權代理事務所 61215
• 代理人: 弋才富

1.一種精確測量WEE寬度的方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟1：將光刻機擋板設置在需曝光使用的光刻對位標記上；

步驟2：將光刻對位標記依次曝光放置在晶片邊緣，放置要求如下：

1)光刻對位標記的放置位置至少為上下左右四個位置；

2)各相鄰光刻對位標記互相錯開；

3)各相鄰光刻對位標記間的間距為0，即光刻機的步進距離為光刻對位標記尺寸；

4)最外側光刻對位標記距晶片邊緣距離小于0.5毫米；

步驟3：經WEE后，根據WEE分界線(1)和晶片邊緣(3)之間的WEE分界線外顯影后不存在的圖形(2)曝光的布局數據和顯影后保存的完整光刻對位標記個數及是否包含不完整光刻對位標記，計算WEE寬度，光刻對位標記數量采用進一法，不足一個完整光刻對位標記的按一個計算，具體計算公式為公式1和公式2：

當WEE后，光刻對位標記均為完整圖形時，計算公式如公式1：

WEE寬度＝光刻對位標記寬度×WEE后完整光刻對位標記個數+光刻對位標記距離×光刻對位標記間距個數????????????1

當WEE后，光刻對位標記包含不完整圖形時，計算公式如公式2：

WEE寬度＝光刻對位標記寬度×(WEE后完整光刻對位標記個數+1)+光刻對位標記距離×光刻對位標記間距個數????????????2

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：曝光使用的光刻對位標記滿足如下條件：

曝光使用的光刻對位標記包含周期性的重復圖形，以便根據圖形數目判斷不完整光刻對位標記的寬度或高度；

WEE的精度為0.1毫米，因此光刻對位標記中重復圖形的周期需滿足該精度要求，實際可使用的尺寸為8-40微米；

不完整光刻對位標記中保留的重復圖形的數目是在顯微鏡下識別的，因此其最小圖形應可以被光學顯微鏡識別，最小尺寸大于2微米。