[發明專利]一種陣列基板及其制造方法和顯示設備

有效

• 申請號: 201210038729.9
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN102646684A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 成軍;陳海晶
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 李娟

技術領域

本發明涉及電子工藝技術，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和顯示設備。

背景技術

有機發光顯示器是新一代的顯示器件，與液晶顯示器相比，具有很多優點，如：自發光，響應速度快，寬視角等等，可以用于柔性顯示，透明顯示，3D顯示等。

在有源矩陣有機發光顯示器中，每一個像素均通過薄膜晶體管控制該像素的開關，因此通過驅動電路，可以獨立控制每一個像素，不會對其他像素造成串擾等影響。

陣列基板中包括薄膜晶體管和柵極引出區或源極引出區，薄膜晶體管至少包含柵極、源極、漏極、柵絕緣層和活化層。目前，活化層主要為硅，可以采用非晶硅或者多晶硅。采用非晶硅作為活化層的薄膜晶體管時，因其特性的限制(如遷移率、開態電流等)，難以用于需要較大電流和快速響應的場合，如有機發光顯示器和大尺寸、高分辨率、高刷新頻率的顯示器等。采用多晶硅作為活化層的薄膜晶體管，其特性優于非晶硅，可以用于有機發光顯示器；但是因其均勻性不佳，制備中大尺寸的面板仍有困難。雖然可用增加補償電路的方法處理多晶硅特性不均勻的問題，但同時增加了像素中的薄膜晶體管和電容的數量，增加了掩膜數量和制作難度，造成產量減低和良率下降。另外，如果采用諸如ELA(準分子激光退火)等的LTPS(低溫多晶硅)技術來對非晶硅進行晶化，還需要增加昂貴的設備和維護費用。

因此，氧化物半導體日益受到重視。氧化物半導體為活化層的薄膜晶體管的特性優于非晶硅，如遷移率、開態電流、開關特性等。雖然特性不如多晶硅，但足以用于需要快速響應和較大電流的應用，如高頻、高分比率、大尺寸的顯示器以及有機發光顯示器等。氧化物的均勻性較好，與多晶硅相比，由于沒有均勻性問題，不需要增加補償電路，在掩膜數量和制作難度上均有優勢。在制作大尺寸的顯示器方面難度也較小。而且采用濺射等方法就可以制備，不需增加額外的設備，具有成本優勢。

目前，在氧化物陣列基板的制作過程中，在形成蝕刻阻擋層后形成源電極層和漏電極層，圖1a和圖1b為陣列基板截面圖，包括基板100、柵電極層101、柵極絕緣層102、活化層103、蝕刻阻擋層104、源電極層105a、漏電極層105b、鈍化層106以及透明電極層107，該蝕刻阻擋層104的設計，使得源電極層105a、漏電極層105b與蝕刻阻擋層104搭界的地方多了一次臺階爬坡，在這地方容易造成源電極層105a、漏電極層105b的斷線或活化層103的過蝕刻，影響產品的良率。

發明內容

本發明實施例提供一種陣列基板及其制造方法和顯示設備，以避免源電極層、漏電極層或活化層在與蝕刻阻擋層搭界時出現額外的臺階爬坡，提高產品良率。

一種陣列基板，包括：基板、柵電極層、柵極絕緣層、活化層、蝕刻阻擋層、源電極層、漏電極層、鈍化層以及透明電極層，其中：

所述蝕刻阻擋層的面積大于或等于所述活化層的面積，并設置有用于源電極層、漏電極層與活化層連接的通孔。

一種陣列基板制造方法，包括：

在基板上依次形成柵電極層、柵極絕緣層、活化層以及蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層的面積大于或等于所述活化層的面積；

形成用于活化層與源電極層、漏電極層連通的第一通孔；

形成源電極層和漏電極層，所述源電極層和所述漏電極層通過所述第一通孔連接所述活化層；

形成鈍化層，并對所述鈍化層進行蝕刻；

形成透明電極層，所述透明電極層與所述源電極層、所述柵電極層連接。

一種陣列基板制造方法，包括：

在基板上依次形成源電極層、漏電極層、蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層的面積大于或等于活化層的面積；

形成用于活化層與源電極層、漏電極層連通的第一通孔；

形成活化層以及柵極絕緣層，所述活化層通過所述第一通孔連接所述源電極層、漏電極層；

形成柵電極層；

形成鈍化層，并對所述鈍化層進行蝕刻；

形成透明電極層，所述透明電極層與所述柵電極層、所述源電極層連接。

一種顯示設備，包括本發明實施例提供的陣列基板。

本發明實施例提供一種陣列基板及其制造方法和顯示設備，通過改善蝕刻阻擋層的設計，使蝕刻阻擋層的面積大于或等于活化層的面積，并在源電極層、漏電極層與活化層的連接處設置有通孔，進而避免源電極層、漏電極層或活化層在與蝕刻阻擋層搭界時出現額外的臺階爬坡。

附圖說明

圖1a和圖1b為現有技術中底柵結構的陣列基板截面圖；