[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法和顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210038729.9
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN102646684A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 成軍;陳海晶
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 李娟

1.一種陣列基板，包括：基板、柵電極層、柵極絕緣層、活化層、蝕刻阻擋層、源電極層、漏電極層、鈍化層以及透明電極層，其特征在于：

所述蝕刻阻擋層的面積大于或等于所述活化層的面積，并設(shè)置有用于源電極層、漏電極層與活化層連接的通孔。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述蝕刻阻擋層覆蓋整個基板，并在柵極引出區(qū)或源極引出區(qū)設(shè)置有通孔。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，在所述柵極引出區(qū)或源極引出區(qū)的通孔中，設(shè)置有能夠?qū)щ姷奶畛湮铮凰鰱烹姌O層在所述柵極引出區(qū)中通過所述填充物連接所述透明電極層，或者所述源電極層在所述源極引出區(qū)的通孔中通過所述填充物連接所述透明電極層。

4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述設(shè)置有用于源電極層、漏電極層與活化層連接的通孔，具體為：設(shè)置有用于活化層與源電極層、漏電極層連通的穿透蝕刻阻擋層的第一通孔。

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，在底柵結(jié)構(gòu)中，所述在柵極引出區(qū)或源極引出區(qū)設(shè)置有通孔，具體包括：

穿透蝕刻阻擋層與柵極絕緣層的第二通孔和穿透鈍化層的第五通孔；

所述陣列基板還包括：源電極層、漏電極層與透明電極層連通的穿透鈍化層的第四通孔。

6.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，在頂柵結(jié)構(gòu)中，所述在柵極引出區(qū)或源極引出區(qū)設(shè)置有通孔，具體包括：

穿透蝕刻阻擋層與柵極絕緣層的第三通孔和穿透鈍化層的第四通孔；

所述陣列基板還包括：柵電極層與透明電極層連通的穿透鈍化層的第五通孔。

7.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在所述柵極引出區(qū)或源極引出區(qū)的通孔中，設(shè)置有能夠?qū)щ姷奶畛湮铮唧w為：

在底柵結(jié)構(gòu)中，所述填充物為與源電極層、漏電極層位于同一層且材質(zhì)相同的過渡連接金屬；

在頂柵結(jié)構(gòu)中，所述填充物為與柵電極層位于同一層且材質(zhì)相同的過渡連接金屬。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第四通孔與所述第五通孔的深度相同。

9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第一通孔的深度與所述蝕刻阻擋層的厚度相同，或者所述第一通孔的深度大于所述蝕刻阻擋層的厚度。

10.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第二通孔和所述第三通孔的深度等于所述蝕刻阻擋層與所述柵極絕緣層的厚度和，或者所述第二通孔和所述第三通孔的深度大于所述蝕刻阻擋層與所述柵極絕緣層的厚度和。

11.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第四通孔和所述第五通孔的深度等于所述鈍化層的厚度，或者所述第二通孔和所述第三通孔的深度大于所述鈍化層的厚度。

12.一種陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成柵電極層、柵極絕緣層、活化層以及蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層的面積大于或等于所述活化層的面積；

形成用于活化層與源電極層、漏電極層連通的第一通孔；

形成源電極層和漏電極層，所述源電極層和所述漏電極層通過所述第一通孔連接所述活化層；

形成鈍化層，并對所述鈍化層進行蝕刻；

形成透明電極層，所述透明電極層與所述源電極層、所述柵電極層連接。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，在形成用于活化層與源電極層、漏電極層連通的第一通孔的同時，還包括：

形成用于柵電極層與透明電極層連通的穿透蝕刻阻擋層與柵極絕緣層的第二通孔；

在形成源電極層和漏電極層的同時，還在所述第二通孔上形成與所述源電極層和漏電極層材質(zhì)相同的用于進行柵電極層和透明電極層之間過渡連接的金屬，所述用于進行柵電極層和透明電極層之間過渡連接的金屬通過所述第二通孔連接所述柵電極層。

14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述對所述蝕刻阻擋層及柵極絕緣層進行蝕刻，具體為：

通過過孔的方式，對所述蝕刻阻擋層及柵極絕緣層進行蝕刻。