[發(fā)明專利]用于薄膜沉積的掩模框架組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210037878.3
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN102760842A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪宰敏
• 申請（專利權(quán)）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);王占杰

本申請參照早先于2011年4月25日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局且因此適時地被指定序列號10-2011-0038438的申請，將該申請包含于此，并要求該申請的全部權(quán)益。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于薄膜沉積的掩模框架組件，更具體地講，涉及防止掩模變形的用于薄膜沉積的掩模框架組件。

背景技術(shù)

通常，包括薄膜晶體管(TFT)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)可以用在移動設(shè)備(諸如，數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、便攜式信息終端、智能手機(jī)、平板電腦或超薄膝上型電腦)以及諸如超薄電視的電子設(shè)備的顯示裝置中。

當(dāng)從陽極和陰極注入的空穴和電子在有機(jī)發(fā)射層中復(fù)合時，OLED發(fā)射不同顏色的光。OLED是堆疊型顯示裝置，在OLED中，有機(jī)發(fā)射層插設(shè)在陽極和陰極之間。

然而，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可能不會執(zhí)行高效發(fā)光，因此，在電極和有機(jī)發(fā)射層之間選擇性地插設(shè)諸如電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴注入層的中間層。

可以通過光刻方法或沉積方法來形成OLED的電極和包括有機(jī)發(fā)射層在內(nèi)的中間層。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了用于薄膜沉積的掩模框架組件，該掩模框架組件可以減小掩模的變形，因此可以減少掩模與基底的附著過程中的缺陷。

根據(jù)本發(fā)明的方面，用于薄膜沉積的掩模框架組件包括：掩模框架，包括開口和圍繞開口的多個框架；以及掩模，結(jié)合在掩模框架上，其中，防變形單元形成在掩模的至少一個區(qū)域上。

掩模可以包括多個沉積圖案和肋，所述多個沉積圖案沿掩模的長度方向彼此分開，肋設(shè)置在相鄰的沉積圖案之間以將沉積圖案彼此連接，防變形單元可以是形成在每個肋上的第一虛設(shè)圖案。

掩模還可以包括多個第二虛設(shè)圖案，多個第二虛設(shè)圖案形成在沉積圖案的沿沉積圖案的寬度方向的相對邊緣上。

沉積圖案、第一虛設(shè)圖案和第二虛設(shè)圖案可以形成為點(diǎn)型狹縫圖案或條狀狹縫圖案。

掩模還可以包括半蝕刻部分，半蝕刻部分形成在沉積圖案的沿沉積圖案的寬度方向的相對邊緣上。

可通過從第二表面蝕刻掩模以具有比掩模的其他部分小的厚度來形成半蝕刻部分，第二表面與面對沉積基底的第一表面相背。

第一表面可以是接觸將被圖案化的沉積基底的表面。

掩模可以包括多個沉積圖案和肋，所述多個沉積圖案沿掩模的長度方向彼此分開，肋設(shè)置在相鄰的沉積圖案之間以將沉積圖案彼此連接，防變形單元可以是形成在每個肋上的第一半蝕刻部分。

第一半蝕刻部分可以從肋的沿掩模寬度方向的兩側(cè)向掩模的沿掩模寬度方向的邊緣延伸。

在將張力施加到掩模的狀態(tài)下，掩模的相對的端部可以焊接到彼此面對地布置的框架。

多個框架可以包括：多個第一框架，布置為沿一個方向彼此面對；以及多個第二框架，布置為沿另一方向彼此面對，其中，多個第一框架和多個第二框架可以彼此連接以圍繞開口。

掩模可以與多個第一框架平行地設(shè)置，并相對于多個第二框架連續(xù)地布置。

掩模可包括設(shè)置成橫過掩模框架的開口的至少一個分體掩模。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，通過參照下面的詳細(xì)描述，對本發(fā)明更完全的理解以及本發(fā)明許多隨附的優(yōu)點(diǎn)將易于清楚，同時變得更好理解，在附圖中同樣的標(biāo)記表示相同或相似的組件，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩模框架組件的透視圖；

圖2是圖1中示出的分體掩模的平面圖；

圖3是局部地示出圖2中的分體掩模的變型示例的平面圖；

圖4是局部地示出圖2中的分體掩模的另一變型示例的平面圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的分體掩模的局部切開透視圖；

圖6是沿圖5中的線□-□截取的分體掩模的剖視圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的分體掩模的局部切開透視圖；

圖8是沿圖7中的線□-□截取的分體掩模的剖視圖；

圖9是沿圖7中的線IX-IX截取的分體掩模的剖視圖；

圖10是局部地示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的分體掩模的平面圖；

圖11是示出使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模框架組件的沉積狀態(tài)的框圖；以及

圖12是通過使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模框架組件沉積的有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)的剖視圖。

具體實(shí)施方式