[發(fā)明專利]用于薄膜沉積的掩模框架組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210037878.3
• 申請(qǐng)日: 2012-02-17
• 公開（公告）號(hào): CN102760842A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪宰敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);王占杰

1.一種用于薄膜沉積的掩模框架組件，所述掩模框架組件包括：

掩模框架，包括開口和圍繞開口的多個(gè)框架；以及

掩模，結(jié)合到掩模框架，

其中，防變形單元形成在掩模的至少一個(gè)區(qū)域上。

2.如權(quán)利要求1所述的掩模框架組件，其中，掩模包括多個(gè)沉積圖案和肋，所述多個(gè)沉積圖案沿掩模的長(zhǎng)度方向彼此分開，肋設(shè)置在相鄰的沉積圖案之間用于將沉積圖案彼此連接，其中，防變形單元包括形成在每個(gè)肋上的第一虛設(shè)圖案。

3.如權(quán)利要求2所述的掩模框架組件，其中，掩模還包括多個(gè)第二虛設(shè)圖案，所述多個(gè)第二虛設(shè)圖案形成在沉積圖案的沿沉積圖案的寬度方向的相對(duì)邊緣上。

4.如權(quán)利要求3所述的掩模框架組件，其中，沉積圖案、第一虛設(shè)圖案和第二虛設(shè)圖案形成為點(diǎn)型狹縫圖案和條狀狹縫圖案之一。

5.如權(quán)利要求2所述的掩模框架組件，其中，掩模還包括半蝕刻部分，半蝕刻部分形成在沉積圖案的沿沉積圖案的寬度方向的相對(duì)邊緣上。

6.如權(quán)利要求5所述的掩模框架組件，其中，通過從第二表面蝕刻掩模以具有比掩模的其他部分小的厚度來形成半蝕刻部分，第二表面與面對(duì)沉積基底的第一表面相背。

7.如權(quán)利要求6所述的掩模框架組件，其中，第一表面是接觸將被圖案化的沉積基底的表面。

8.如權(quán)利要求1所述的掩模框架組件，其中，掩模包括多個(gè)沉積圖案和肋，所述多個(gè)沉積圖案沿掩模的長(zhǎng)度方向彼此分開，肋設(shè)置在相鄰的沉積圖案之間用于將沉積圖案彼此連接，其中，防變形單元包括形成在每個(gè)肋上的第一半蝕刻部分。

9.如權(quán)利要求8所述的掩模框架組件，其中，第一半蝕刻部分從肋的沿掩模寬度方向的兩側(cè)向掩模的沿掩模寬度方向的邊緣延伸。

10.如權(quán)利要求8所述的掩模框架組件，其中，通過從第二表面蝕刻掩模以具有比掩模的其他部分小的厚度來形成第一半蝕刻部分，第二表面與面對(duì)沉積基底的第一表面相背。

11.如權(quán)利要求8所述的掩模框架組件，其中，掩模還包括第二半蝕刻部分，第二半蝕刻部分設(shè)置在沉積圖案的沿沉積圖案的寬度方向的相對(duì)邊緣上。

12.如權(quán)利要求11所述的掩模框架組件，其中，通過從第二表面蝕刻掩模以具有比掩模的其他部分小的厚度來形成第一半蝕刻部分和第二半蝕刻部分，第二表面與面對(duì)沉積基底的第一表面相背。

13.如權(quán)利要求12所述的掩模框架組件，其中，第一表面是接觸將被圖案化的沉積基底的表面。

14.如權(quán)利要求1所述的掩模框架組件，其中，在將張力施加到掩模的狀態(tài)下，掩模的相對(duì)的端部焊接到彼此面對(duì)地布置的框架。

15.如權(quán)利要求1所述的掩模框架組件，其中，所述多個(gè)框架包括：

多個(gè)第一框架，布置為沿第一方向彼此面對(duì)；以及

多個(gè)第二框架，布置為沿第二方向彼此面對(duì)，

其中，多個(gè)第一框架和多個(gè)第二框架彼此連接以圍繞掩模框架的開口。

16.如權(quán)利要求15所述的掩模框架組件，其中，掩模與多個(gè)第一框架平行地設(shè)置，并相對(duì)于多個(gè)第二框架連續(xù)地布置。

17.如權(quán)利要求1所述的掩模框架組件，其中，掩模包括設(shè)置成橫過掩模框架的開口的至少一個(gè)分體掩模。