[發(fā)明專利]光刻裝置及器件制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210036739.9
• 申請(qǐng)日: 2007-03-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102566319A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: N·R·科珀;S·N·L·唐德斯;J·J·奧坦斯;J·C·范德霍文;E·C·卡迪克;S·舒勒波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2007年3月28日、申請(qǐng)?zhí)枮?00710091861.5的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光刻裝置及器件制造方法。

背景技術(shù)

光刻裝置是將所需的圖案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的設(shè)備。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件，或者可稱為掩模(mask)或中間掩模(reticle)，可用于產(chǎn)生形成在IC的單層上的電路圖案。該圖案可以被轉(zhuǎn)移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一個(gè)或者多個(gè)管芯(die))上。這種圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過(guò)成像到基底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來(lái)進(jìn)行的。一般而言，單個(gè)基底包含由被相繼構(gòu)圖的相鄰靶部構(gòu)成的網(wǎng)狀件。已知的光刻裝置包括所謂的步進(jìn)器和掃描器，在步進(jìn)器中，對(duì)每一靶部的輻照是通過(guò)一次性將整個(gè)圖案曝光到該靶部上來(lái)進(jìn)行的；在掃描器中，對(duì)每一靶部的輻照是通過(guò)沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案穿過(guò)一輻射束，并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描該基底。還可以通過(guò)將圖案壓印到基底上而把圖案從構(gòu)圖部件轉(zhuǎn)移到基底上。

已經(jīng)提出，將光刻投影裝置中的基底浸入具有較高折射率的液體(例如水)中，以便填充投影系統(tǒng)的最末元件與基底之間的空間。由于曝光輻射在該液體中具有更短的波長(zhǎng)，因此這能夠成像較小的特征部。(還認(rèn)為該液體的作用可以增加該系統(tǒng)的有效NA以及增加聚焦深度。)也提出了其它浸液，包括其中懸浮有固體顆粒(如石英)的水。

但是，將基底或基底和基底臺(tái)浸沒(méi)在液體浴槽(例如參見(jiàn)美國(guó)專利US4509852，在此將該文獻(xiàn)全文引入作為參考)中意味著在掃描曝光過(guò)程中必須使大量的液體加速。這需要附加的或功率更大的馬達(dá)，并且液體中的湍流可能導(dǎo)致不期望和不可預(yù)料的影響。

所提出的一種解決方案是，液體供給系統(tǒng)利用液體限制系統(tǒng)僅在基底的局部區(qū)域上以及投影系統(tǒng)的最末元件和基底(通常該基底具有比投影系統(tǒng)的最末元件更大的表面面積)之間提供液體。在PCT專利申請(qǐng)WO99/49504中公開(kāi)了一種已經(jīng)提出的用于該方案的方式，在此將該文獻(xiàn)全文引入作為參考。如圖2和3所示，通過(guò)至少一個(gè)入口IN將液體提供到基底上，優(yōu)選地沿基底相對(duì)于該最末元件的移動(dòng)方向提供，并且在液體已經(jīng)流過(guò)該投影系統(tǒng)下方之后，通過(guò)至少一個(gè)出口OUT將該液體去除。也就是說(shuō)，當(dāng)沿-X方向在該元件下方掃描基底時(shí)，在該元件的+X側(cè)提供液體，并在-X側(cè)吸走液體。圖2示意性地示出了該布置，其中，通過(guò)入口IN提供液體，并通過(guò)與負(fù)壓源相連接的出口OUT在該元件的另一側(cè)吸取液體。在圖2的圖示中，是沿基底相對(duì)于最末元件的移動(dòng)方向來(lái)提供液體，但是也可以不必這樣。圍繞該最末元件定位的入口和出口的各種方位和數(shù)量都是可能的，圖3示出了一個(gè)示例，其中，在該最末元件周圍以規(guī)則的圖案在兩側(cè)上設(shè)置了四組入口和出口

圖4示出了另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的浸液光刻方案。液體可以通過(guò)投影系統(tǒng)PL兩側(cè)上的兩個(gè)槽形入口IN提供，并由布置在入口IN徑向外側(cè)的多個(gè)分立的出口OUT去除該液體。這些入口IN和出口OUT布置在中心處具有小孔的平板中，投影束可穿過(guò)該小孔進(jìn)行投影。液體可以通過(guò)在投影系統(tǒng)PL一側(cè)上的一個(gè)槽形入口IN提供，并通過(guò)投影系統(tǒng)PL另一側(cè)上的多個(gè)分立的出口OUT去除，從而在投影系統(tǒng)PL和基底W之間形成液體薄膜的流動(dòng)。所選用的入口IN和出口OUT的組合取決于基底W的移動(dòng)方向(入口IN和出口OUT的其它組合是無(wú)效的)。

在歐洲專利申請(qǐng)公開(kāi)文本no.EP1420300和美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)文本no.US2004-0136494中，公開(kāi)了一種雙平臺(tái)式浸液光刻裝置的思想，在此將這兩篇文獻(xiàn)的全文引入作為參考。這種裝置具有兩個(gè)用于支撐基底的工作臺(tái)。用第一位置處的工作臺(tái)在沒(méi)有浸液的的情況下進(jìn)行水準(zhǔn)測(cè)量(leveling?measurement)，用第二位置處的工作臺(tái)在存在浸液的情況下進(jìn)行曝光?；蛘呖商鎿Q地，該裝置僅具有一個(gè)工作臺(tái)。

在光刻裝置中運(yùn)用浸液會(huì)給它帶來(lái)一個(gè)或多個(gè)液體處理的問(wèn)題。通常在對(duì)象(如基底和/或傳感器)與圍繞該對(duì)象(如基底)邊緣的基底臺(tái)之間存在間隙。美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)文本US2005-0264778(在此將其全文引入作為參考)公開(kāi)了使用材料填充該間隙，或提供液體源或負(fù)壓源以有意地使用液體填充該間隙，從而當(dāng)該間隙在液體供給系統(tǒng)下方通過(guò)時(shí)避免產(chǎn)生氣泡和/或去除進(jìn)入該間隙的任何液體。

發(fā)明內(nèi)容

例如，期望的是去除一對(duì)象的邊緣與基底臺(tái)(其上定位有該對(duì)象)之間的間隙中的液體。該對(duì)象是基底、傳感器、封閉板等等。