[發明專利]光學發送裝置、光學發送/接收裝置、控制方法和控制程序無效
| 申請號: | 201210036289.3 | 申請日: | 2012-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN102647234A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發明(設計)人: | 巖永浩平 | 申請(專利權)人: | 日本電氣株式會社 |
| 主分類號: | H04B10/155 | 分類號: | H04B10/155;H04B10/158;H01S3/04;H01S5/024 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 發送 裝置 接收 控制 方法 控制程序 | ||
技術領域
本發明涉及光學發送裝置、光學發送/接收裝置、控制方法和控制程序。更具體而言,本發明涉及通過將發送數據轉換為光學信號來輸出發送數據的光學發送裝置、光學發送/接收裝置、控制方法和控制程序。
背景技術
最近,已經得到廣泛應用的光學發送/接收裝置連接到以高速傳輸大量信息的光通信網絡,以與連接到光通信網絡的其他通信設備進行互相的光通信。光學發送/接收裝置設置有發送側電路,其將從主側裝置輸出的主信號數據轉換為光學信號并將光學信號經由光纖發送到光通信網絡側的設備。
發送側電路包括作為用于產生激光束的光源,例如激光二極管,以及對所產生的激光束進行調制的電吸收(EA)光學調制器。理想地,將這些模塊集成以降低功耗等。在這樣的情況下,例如在日本未經審查的專利公開2009-81512(專利文獻1)中提出了包括可見波長光源和EA(電吸收)調制器以及熱電冷卻器的光學發送裝置。該光學發送裝置被構造為從控制單元向EA調制器輸入EA偏壓,并基于EA偏壓根據調制特性來對從可見波長光源輸出的光進行調制。此外,控制單元控制熱電冷卻器的溫度,使得示出EA調制器的溫度的EA溫度信息成為目標溫度。
此外,日本未經審查的專利公開2004-296988(專利文獻2)揭示了具有電吸收調制器的激光二極管,電吸收調制器通過熱敏電阻檢測激光二極管的溫度,并在外部溫度較低時增大由加熱器產生的熱量以得到最優溫度,而在溫度為最優時減少熱量。具有電吸收調制器的激光二極管在不使用電冷卻器元件的情況下控制激光二極管的溫度。
此外,日本未經審查的專利申請Hei?11-126939(專利文獻3)揭示了半導體激光調制(LD調制)的溫度控制裝置,其包括容納在封裝內的TEC(熱電冷卻器)、PD(光電二極管)、溫度檢測元件(熱敏電阻)、LD芯片等。溫度控制裝置被構造為當外部溫度Ta在半導體激光器的安全溫度范圍內時不控制LD芯片的溫度,并且不向TEC施加珀耳帖電流(Peltier?current)。
此外,在NTT?Photonics?Laboratories的Wataru?Kobayashi等人的“Low?Power?Consumption?1.55μm?EADFB?Laser”,NTT?Techinical?Review,2010年11月(Vol.22No.11),第69-73頁(非專利文獻1)中描述了,通過使用基于砷化銦鎵鋁的半導體材料(鋁基材料)作為用于制造集成EA調制器的DFB(分布反饋)激光器(EA-DFB激光器)的材料,在即使無冷卻動作(不控制溫度)的情況下也改善了寬溫度范圍的特性。
但是,在專利文獻1中描述的光學發送裝置基于FIT(一段時間內的故障)數量、功耗和EA溫度來確定閾值(EA溫度的值),并通過以溫度和EA調制器的波長作為輸入信息來控制溫度控制電流。光學發送裝置被構造為將溫度控制電流控制在TA<Tn<Tb(上限溫度Ta,目標溫度Tn,下限溫度Tb)的范圍內,由此功率被消耗。
此外,雖然專利文獻2揭示了裝載發熱器以將激光二極管的溫度控制在預先設定的界限溫度范圍內的技術,但是其被設計為控制由發熱器產生的熱量。
此外,雖然上述專利文獻3揭示了包括其電阻值根據半導體激光調制(LD芯片)的溫度而變化的熱敏電阻,并根據LD芯片的溫度來控制LD芯片的溫度使得LD芯片的溫度落在特定范圍(安全范圍)內的技術,但是LD芯片的輸出特性隨著安全范圍的溫度的變化而變化。
因此,本發明的示例性目的是提供能夠獲得要被輸出的光學信號的良好光輸出特性的光學發送裝置、光學發送/接收裝置、控制方法和控制程序。
發明內容
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