[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210036105.3
• 申請日: 2012-02-15
• 公開（公告）號: CN102646680B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 竹內(nèi)雅彥
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L23/528;H01L21/8244;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

多個柵極電極，所述多個柵極電極在沿著半導(dǎo)體襯底的主表面的第1方向上延伸，且沿所述第1方向排列形成在所述半導(dǎo)體襯底上；

第1絕緣膜，所述第1絕緣膜形成于所述第1方向上相鄰的所述多個柵極電極之間；

第2絕緣膜，所述第2絕緣膜在與所述第1方向正交的第2方向上的所述多個柵極電極的側(cè)面，形成在從所述柵極電極露出的所述半導(dǎo)體襯底的上表面；以及

多個接觸插塞，所述多個接觸插塞配置在所述第1絕緣膜的兩側(cè)，并連接于所述半導(dǎo)體襯底，

其中，所述第1絕緣膜及所述第2絕緣膜構(gòu)成第3絕緣膜，所述第3絕緣膜以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底及所述多個柵極電極的方式形成，

所述第1絕緣膜上表面的最低位置比所述第2絕緣膜上表面的最低位置高。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第1絕緣膜上表面的最低位置位于比所述多個柵極電極的上表面高的區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述第1方向上相鄰的所述多個柵極電極的相對的側(cè)壁上分別形成的所述第1絕緣膜彼此相互接觸。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述第1方向上相鄰的所述多個柵極電極之間，形成有被所述第1絕緣膜覆蓋的空隙。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述多個柵極電極各自的側(cè)壁與所述第1絕緣膜之間形成有側(cè)墻。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述側(cè)墻包括依次層疊在所述半導(dǎo)體襯底上的氧化硅膜及氮化硅膜。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述多個柵極電極的側(cè)壁與所述第1絕緣膜之間隔著包含氧化硅膜的第4絕緣膜，所述第4絕緣膜沿著所述多個柵極電極的側(cè)壁及所述半導(dǎo)體襯底的上表面連續(xù)地形成。

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

多個柵極電極，所述多個柵極電極在沿著半導(dǎo)體襯底的主表面的第1方向上延伸，且沿所述第1方向排列形成在所述半導(dǎo)體襯底上；

第1絕緣膜，所述第1絕緣膜形成于所述第1方向上相鄰的所述多個柵極電極之間；以及

多個接觸插塞，所述多個接觸插塞配置在所述第1絕緣膜的兩側(cè)，并連接于所述半導(dǎo)體襯底，

其中，所述第1絕緣膜構(gòu)成第3絕緣膜，所述第3絕緣膜以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底及所述多個柵極電極的方式形成，

所述第1絕緣膜上表面的最低位置位于比所述多個柵極電極上表面高的區(qū)域。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述第1方向上相鄰的所述多個柵極電極之間，形成有被所述第1絕緣膜覆蓋的空隙。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述多個柵極電極各自的側(cè)壁與所述第1絕緣膜之間形成有側(cè)墻。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述側(cè)墻包括依次層疊在所述半導(dǎo)體襯底上的氧化硅膜及氮化硅膜。

12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述多個柵極電極的側(cè)壁與所述第1絕緣膜之間隔著包含氧化硅膜的第4絕緣膜，所述第4絕緣膜沿著所述多個柵極電極的側(cè)壁及所述半導(dǎo)體襯底的上表面連續(xù)地形成。