[發明專利]半導體存儲器及其制造方法無效
| 申請號： | 201210035735.9 | 申請日： | 2012-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN103258860A | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發明（設計）人： | 霍宗亮;劉明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/788 | 分類號： | H01L29/788;H01L29/49;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明;王寶筠 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲器 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體存儲器件，為NOR型閃存存儲陣列中的存儲單元，其特征在于，包括：
襯底；
襯底上的隧穿層；
隧穿層上的浮柵和控制柵，以及浮柵和控制柵之間的阻擋層；
其中，所述浮柵采用單晶或微晶半導體材料。
2.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述阻擋層為單層結構或兩層結構。
3.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，所述阻擋層的材料為SiO2、SiON或高k介質材料。
4.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述浮柵的頂部基本為拱形。
5.一種半導體存儲器件的制造方法，所述存儲器件為NOR型閃存存儲陣列中的存儲單元，其特征在于，包括：
提供SOI襯底；
圖案化所述SOI襯底的頂層硅和埋氧層，以形成隧穿層及浮柵；
在所述浮柵上形成阻擋層，以及在所述阻擋層上形成控制柵。
6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述阻擋層為單層結構或兩層結構。
7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，采用熱氧化、ALD或二者結合的方法形成所述阻擋層。
8.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成隧穿層及浮柵時還包括：以及刻蝕所述SOI襯底的背襯底以形成字線方向上的隔離溝槽，在隔離溝槽中形成隔離。
9.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成浮柵之后，形成阻擋層之前，還包括步驟：將所述浮柵進行圓角化，以使浮柵的頂部為拱形。
10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，采用氧化-刻蝕法、高溫分解法或化學干法刻蝕將所述浮柵進行圓角化。
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