[發(fā)明專利]記錄裝置、母盤制造裝置、以及制造光盤記錄介質(zhì)的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210034290.2
• 申請日: 2012-02-15
• 公開（公告）號: CN102646422A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林忍;齋藤昭也
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司;索尼信息技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: G11B7/0045
• 分類號: G11B7/0045;G11B7/1263;G11B7/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 周少杰

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及對光盤母盤執(zhí)行記錄(曝光)的記錄裝置、用于在曝光的光盤母盤上應(yīng)用顯影處理以創(chuàng)建已記錄的母盤的母盤制造裝置、以及用于制造光盤記錄介質(zhì)的光盤記錄介質(zhì)制造方法，在該光盤記錄介質(zhì)上基于已記錄的母盤轉(zhuǎn)印記錄信息(凹凸圖案)。

背景技術(shù)

日本未審專利申請公開No.2009-70458是現(xiàn)有技術(shù)的示例。

例如，在諸如CD(致密盤)、DVD(數(shù)字多功能盤)、或者BD(藍光盤：注冊商標)的光盤記錄介質(zhì)中，如已知為所謂的ROM型，存在在其上通過凹坑(pit)和平臺(land)的組合記錄信息的介質(zhì)。也就是說，通過形成作為凹坑的凹部和作為平臺的凸部的圖案記錄信息。

在ROM型的光盤記錄介質(zhì)的制造中，首先，在用光敏層形成的光盤母盤上執(zhí)行激光束照射以執(zhí)行信息記錄。此外，在經(jīng)歷記錄過程的光盤母盤上執(zhí)行顯影處理，以創(chuàng)建用凹坑形成的已記錄的母盤，創(chuàng)建在其上轉(zhuǎn)印在已記錄的母盤上形成的凹坑圖案(以及記錄信息)的壓模(stamper)，然后，創(chuàng)建其中通過使用壓模等的注入成型再現(xiàn)記錄信息的基底，并且在基底上執(zhí)行反射膜等的膜形成，從而制造光盤記錄介質(zhì)。

近年來，在光盤記錄介質(zhì)的制造過程中，在記錄過程(母盤制作(mastering)過程)中已經(jīng)采用PTM(相變母盤制作(Phase?Transition?Mastering))類型，以便響應(yīng)于光盤記錄介質(zhì)的高記錄密度。該類型是所謂的熱記錄(thermal?recording)。

在PTM類型中，無機抗蝕劑用作構(gòu)成光敏層的光刻膠。此外，半導(dǎo)體激光用作記錄激光。

在此，在不采用PTM類型的現(xiàn)有技術(shù)的類型中，通過使用有機抗蝕劑作為光敏層，照射氣體激光等。在該情況下，因為光刻膠的曝光是所謂的光學記錄，所以通過激光曝光的部分照原樣變?yōu)榘伎印Ｒ簿褪钦f，激光光點直徑照原樣直接影響凹坑寬度。

相反，在PTM類型中，因為由于激光束的照射給出熱，所以無機抗蝕劑的特性改變(即，化學性質(zhì)改變)，并且形成記錄標記。在PTM類型中使用的無機抗蝕劑中，在熱集中的部分中顯示顯著的化學特性改變，并且要形成的凹槽的尺寸不直接取決于激光光點直徑。也就是說，在這方面，PTM類型能夠執(zhí)行比現(xiàn)有技術(shù)的類型更精細的凹槽形成。

在PTM類型的母盤制作中，使用考慮熱記錄的特性的記錄波形。

圖6A示出對應(yīng)于熱記錄的記錄波形的示例。

如圖所示，該情況的記錄波形包括平臺脈沖Pln、記錄波形部分Pr、以及冷卻脈沖Pc，冷卻脈沖Pc插入在平臺脈沖Pln和記錄波形部分Pr之間。

記錄波形部分Pr是具有用于通過熱記錄形成凹坑的高功率的脈沖的波形部分。此外，圖6A示出記錄波形部分Pr具有單個脈沖和恒定功率，但是實際上，例如，取決于要記錄的凹坑長度，需要通過更復(fù)雜的脈沖構(gòu)成記錄波形部分Pr。

平臺脈沖Pln是用于形成平臺部分的脈沖，并且是用于調(diào)整用于輔助凹坑部分的熱記錄的總體熱量的脈沖。功率可以至少設(shè)為低于形成凹坑的功率。

在該情況下，特性在于在記錄波形部分Pr和平臺脈沖Pln之間插入冷卻脈沖Pc。在冷卻脈沖Pc中，設(shè)置比平臺脈沖Pln的功率更低的功率作為其功率。通過冷卻脈沖Pc的插入，可能在光盤母盤上形成的凹坑的前側(cè)邊緣和后側(cè)邊緣兩者中，獲得增加凹坑/平臺邊界的對比度的效果。

此外，根據(jù)圖6A所示的記錄波形，通過獲得比冷卻脈沖Pc的功率更高功率的平臺脈沖Pln，可能獲得抑制特別在前邊緣側(cè)由于冷卻脈沖Pc的插入導(dǎo)致出現(xiàn)熱量缺乏的效果，作為所謂預(yù)熱效果。

發(fā)明內(nèi)容

在此，在光盤母盤上的記錄過程(刻錄(cutting)過程)中，希望增加其速度以改進生產(chǎn)的效率等。

然而，在使用其中插入如上的冷卻脈沖Pc的記錄波形的情況下，發(fā)現(xiàn)當逐漸增加刻錄的速度時，存在凹坑變形出現(xiàn)或抖動惡化的問題。

圖6B示意性示出當通過使用圖6A所示的記錄波形、從正常速度增加刻錄速度(記錄速度)時形成的凹坑的外觀。此外，圖6B僅聚焦于用頁面中間的斜線標記的凹坑。

關(guān)于凹坑的前邊緣側(cè)，不像凹坑的后邊緣側(cè)，其前部是平臺部分(也就是說，不執(zhí)行高功率的激光照射)。為此，存在在凹坑的前邊緣側(cè)容易產(chǎn)生缺乏熱的問題的趨勢，并且由于此，前邊緣位置隨著速度的增加如圖6B所示向后偏移，或者產(chǎn)生前部的變薄。當前邊緣和前凹坑之間的平臺長度長、或者前凹坑的尺寸(T長度：T是通道位)小時，更可能出現(xiàn)缺乏熱的問題。