[發(fā)明專利]隔離元件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210034008.0
• 申請(qǐng)日: 2012-02-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103258851A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃宗義;邱建維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

1.一種隔離元件，其特征在于，包含：

一基板，其為第一導(dǎo)電型、或其包含一第一導(dǎo)電型井區(qū)，該基板具有一上表面；

一第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)，形成于該上表面下方該基板中；

一柵極，形成于該上表面上，且由上視圖視之，該柵極位于該第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)中；

第一導(dǎo)電型源極、與第一導(dǎo)電型漏極，分別位于該柵極兩側(cè)上表面下方的該第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)中，且該漏極與該源極由該柵極隔開(kāi)；

一第一導(dǎo)電型漂移漏極區(qū)，形成于該上表面下方的該第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)中，且該柵極與該漏極由該漂移漏極區(qū)隔開(kāi)，部分該漂移漏極區(qū)位于該柵極下方，該漏極位于該漂移漏極區(qū)中；以及

一緩和區(qū)，其最淺部分位于該漂移漏極區(qū)自該上表面起算的深度90％以下，該緩和區(qū)與該漂移漏極區(qū)共享一第一微影制程，且該緩和區(qū)由第二導(dǎo)電型離子植入所形成。

2.如權(quán)利要求1所述的隔離元件，其中，在該基板上更形成有一高壓元件，且該第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)與該高壓元件共享一第二微影制程與一第二離子植入制程。

3.如權(quán)利要求2所述的隔離元件，其中，還包含第二導(dǎo)電型深井區(qū)，形成于該基板中該隔離井區(qū)下方。

4.如權(quán)利要求2所述的隔離元件，其中，該緩和區(qū)與該漂移漏極區(qū)間具有一重迭區(qū)，為該緩和區(qū)與該漂移漏極區(qū)重迭的部分，該重迭區(qū)的導(dǎo)電型為具有雜質(zhì)濃度較其它漂移漏極區(qū)為低的第一導(dǎo)電型。

5.一種隔離元件制造方法，其特征在于，包含：

在一基板的一第一導(dǎo)電型區(qū)域中形成一第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)，該一基板為第一導(dǎo)電型、或其包含一第一導(dǎo)電型井區(qū)以作為該第一導(dǎo)電型區(qū)域，該基板具有一上表面；

形成一柵極于該上表面上，且由上視圖視之，該柵極位于該第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)中；

形成第一導(dǎo)電型源極、與第一導(dǎo)電型漏極，分別位于該柵極兩側(cè)上表面下方的該第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)中，且該漏極與該源極由該柵極隔開(kāi)；

形成一第一導(dǎo)電型漂移漏極區(qū)于該上表面下方的該第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)中，且該柵極與該漏極由該漂移漏極區(qū)隔開(kāi)，部分該漂移漏極區(qū)位于該柵極下方，該漏極位于該漂移漏極區(qū)中；以及

形成一緩和區(qū)，其最淺部分位于該漂移漏極區(qū)自該上表面起算的深度90％以下，該緩和區(qū)與該漂移漏極區(qū)共享一第一微影制程，且該緩和區(qū)由第二導(dǎo)電型離子植入所形成。

6.如權(quán)利要求5所述的隔離元件制造方法，其中，在該基板上更形成有一高壓元件，且該第二導(dǎo)電型隔離井區(qū)與該高壓元件共享一第二微影制程與一第二離子植入制程。

7.如權(quán)利要求6所述的隔離元件制造方法，其中，還包含形成第二導(dǎo)電型深井區(qū)于該基板中該隔離井區(qū)下方。

8.如權(quán)利要求6所述的隔離元件制造方法，其中，該緩和區(qū)與該漂移漏極區(qū)間具有一重迭區(qū)，為該緩和區(qū)與該漂移漏極區(qū)重迭的部分，該重迭區(qū)的導(dǎo)電型為具有雜質(zhì)濃度較其它漂移漏極區(qū)為低的第一導(dǎo)電型。