[發明專利]一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置無效
| 申請號: | 201210033767.5 | 申請日: | 2012-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN103255395A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 周文彬;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50 |
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| 地址: | 201707 上海市青*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pecvd 制程腔 離子源 擴散 裝置 | ||
所屬技術領域
本發明屬于一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置,具體涉及鍍膜沉積機制。?
背景技術
現有PECVD等離子體增強化學氣象沉積設備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,而薄膜沉積的有效面積及其內的沉積均勻度與等離子體面積有相當大的關系,一般為求基片面積大小內的薄膜沉積的均勻度能達到一定的效果,會制作相對于基片1~2倍大的電極板,以產生相當大且有效的等離子體范圍用以沉積薄膜,此舉不僅增加零件制作周期同時也增加制作上的成本。?
發明內容
綜上所述,為了克服現有技術不足,本發明的主要目的在于提供一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置。?
為了達到上述目的,本發明所采用的技術方案是:?
一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置,通過放置在離子源兩側的擴散板裝置將離子化的氣體向兩側擴散,致使在兩極中的等離子體可均勻地向兩側擴散,增加薄膜沉積的面積,勿需將極板擴大的情況下,有效地增大等離子體沉積面積,對于設備制造成本及節約能源有相當的效果。綜上所述本發明結構簡單、制作方便。
附圖說明
圖1系為本發明結構示意圖。?
主要組件符號說明?
11...沈積設備腔體
12...上電極板
13...下電極板
14...擴散板
15...抽氣口
16...等離子體
具體實施方式
????下面結合附圖對本發明做進一步說明。?
請參閱圖1所示,一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置,其包括沉積設備腔體11、上電極板12、下電極板13、擴散板14及抽氣口15所組成,將擴散板14放置在下電極板13兩側,有效地將離子化的氣體向兩側擴散并均勻地向抽氣口15擴散,致使在兩電極板中的等離子體16也可均勻地向兩側擴散,增加等離子體面積,同時也增加薄膜沉積的面積,勿需將極板擴大的情況下,有效地增大等離子體沉積面積,對于設備制造成本及節約能源有相當的效果。?
????????以上所述實例是對本發明技術方案的說明而非限制,所屬技術領域普通技術人員的等同替換或者根據現有技術而做的修改,只要未超出本發明技術方案的思路和范圍,均應包含在本發明的權力要求范圍之內。?
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





