[發(fā)明專利]一種PECVD制程腔離子源擴(kuò)散板裝置無(wú)效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201210033767.5	申請(qǐng)日：	2012-02-15
公開（公告）號(hào)：	CN103255395A	公開（公告）日：	2013-08-21
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	周文彬;劉幼海;劉吉人	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	吉富新能源科技(上海)有限公司
主分類號(hào)：	C23C16/50	分類號(hào)：	C23C16/50
代理公司：	暫無(wú)信息	代理人：	暫無(wú)信息
地址：	201707 上海市青***	國(guó)省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	一種 pecvd 制程腔離子源擴(kuò)散裝置
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【權(quán)利要求書】：

1.一種PECVD制程腔離子源擴(kuò)散板裝置，其特征在于材質(zhì)為不銹鋼板，厚度2mm、高度250mm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之一種PECVD制程腔離子源擴(kuò)散板裝置，其特征在于結(jié)構(gòu)成ㄇ字形狀。

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專利分類

C 化學(xué)；冶金

C23 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的

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說明：

1、專利原文基于中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說明書；

2、支持發(fā)明專利、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計(jì)專利（升級(jí)中）；

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