[發明專利]穿硅導通體的制法及結構有效
| 申請號： | 201210032525.4 | 申請日： | 2012-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN103247569B | 公開（公告）日： | 2018-04-10 |
| 發明（設計）人： | 林進富;吳俊元;劉志建;蔡騰群;簡金城 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 穿硅導 通體 制法 結構 | ||
1.一種制造穿硅導通體結構的方法，包括：
在一基板上形成一圖案化硬掩模，該圖案化硬掩模具有一開口；
在該開口的側壁上形成一間隙壁狀物，其中該圖案化硬掩模與該間隙壁狀物都直接接觸該基板；及
在形成該間隙壁狀物后，經由該開口蝕刻該間隙壁狀物及該基板，在該間隙壁狀物被完全移除后，對該開口繼續蝕刻，以于該基板形成一具有一擴大開口的導通孔，并且隨著該蝕刻的進行該圖案化硬掩模將被完全移除，并暴露出該基板的一表面。
2.如權利要求1所述的制造穿硅導通體結構的方法，其中該間隙壁狀物的蝕刻速率相較于該圖案化硬掩模的蝕刻速率為快。
3.如權利要求1所述的制造穿硅導通體結構的方法，其中該間隙壁狀物的蝕刻速率在該圖案化硬掩模的蝕刻速率與該基板的蝕刻速率之間。
4.如權利要求1所述的制造穿硅導通體結構的方法，其中，在該開口的側壁上形成該間隙壁狀物的步驟包括：
以低溫薄膜沉積制作工藝于該圖案化硬掩模上及該開口的側壁上形成一間隙壁狀物材料層；及
對該間隙壁狀物材料層回蝕刻。
5.如權利要求1所述的制造穿硅導通體結構的方法，其中，在該開口的側壁上形成該間隙壁狀物的步驟包括：
以低溫薄膜沉積制作工藝于該圖案化硬掩模上及該開口的側壁上形成一間隙壁狀物材料層；
對該間隙壁狀物材料層進行一回蝕刻制作工藝；及
進行一濕蝕刻制作工藝以使所形成的該間隙壁狀物具有一預定厚度與寬度。
6.如權利要求1至5中的任一項所述的制造穿硅導通體結構的方法，其中經由該開口蝕刻該間隙壁狀物及該基板以于該基板形成該具有一擴大開口的導通孔使用一各向異性干蝕刻制作工藝進行。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聯華電子股份有限公司，未經聯華電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210032525.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種定量測試尿酸的干化學試紙條
- 下一篇：改進的包裝完整性指示封閉物
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
