[發明專利]ITO-鹵化銦雙層導電膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210030181.3
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN103243296A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35;H05B33/10
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及導電薄膜領域，尤其涉及一種ITO-鹵化銦雙層導電膜及其制備方法。

背景技術

透明導電薄膜電極，是有機電致發光器件(OLED)的基礎構件，其性能的優劣直接影響著整個器件的發光效率。其中，氧化銦錫(ITO)是最常用的透明導電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發光效率，要求透明導電薄膜陽極具有較高的表面功函數。而ITO的功函數一般只有4.5eV，經過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達到4.7～5.1eV，與一般的有機發光層的HOMO能級(典型的為5.7～6.3eV)還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙著發光效率的提高。

通過后處理的方法可以提高導電薄膜的表面功函數，但由于多了一些步驟工藝，造成成本較高，且效率較低的結果。而通過在薄膜中摻雜某些元素來提高功函數的方法，又有一定的制約性：因為摻雜大量會影響薄膜的導電性能，摻雜少量又達不到功函數提高的目的。

發明內容

本發明所要解決的問題之一在于提供一種既可以提高導電薄膜表面功函數又可以降低成本的ITO-鹵化銦雙層導電膜。

一種ITO-鹵化銦雙層導電膜，包括ITO層和鹵化銦層；其中，ITO層中包括In₂O₃和SnO₂，且In₂O₃質量百分含量為80～97％，SnO₂的質量百分含量為3～20％；鹵化銦層的材質為鹵化銦，其化學式為InA₃，A為鹵素，選自F、Cl或Br。

所述ITO-鹵化銦雙層導電膜，優選，ITO層中，In₂O₃質量百分含量為88％，SnO₂的質量百分含量為12％；

所述ITO-鹵化銦雙層導電膜，所述ITO層的厚度為50～300nm，鹵化銦層的厚度為0.5～3nm；優選，所述ITO層的厚度為150nm，鹵化銦層的厚度為1nm。

本發明所要解決的問題之二在于提供上述ITO-鹵化銦雙層導電膜的制備方法，該制備方法的步驟如下：

S1、稱取In₂O₃和SnO₂粉體，經過均勻混合后，在900～1300℃下燒結處理，制得ITO陶瓷靶材；其中，ITO陶瓷靶材中，In₂O₃質量百分含量為80～97％，SnO₂的質量百分含量為3～20％；以及

將鹵化銦粉體置于600～950℃下燒結處理，制得鹵化銦陶瓷靶材；其中，鹵化銦的化學式為InA₃，A為鹵素，；

S2，將步驟S1中得的ITO陶瓷靶材、鹵化銦陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體中，并將真空腔體的真空度設置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之間；

S3，調整磁控濺射鍍膜工藝參數為：基靶間距為45～95mm，磁控濺射工作壓強0.2～4Pa，氬氣工作氣體的流量為10～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃，濺射功率為30～150W；

S4、濺射鍍膜處理：首先濺射ITO陶瓷靶材，并在襯底表面沉積ITO層；接著濺射鹵化銦陶瓷靶材，在ITO層表面沉積InA₃層；濺射鍍膜處理完成后，制得ITO-鹵化銦雙層導電膜；該雙層導電膜包括ITO層和鹵化銦層中，在ITO層中，In₂O₃質量百分含量為80～97％，SnO₂的質量百分含量為3～20％；鹵化銦層的材質為鹵化銦，其化學式為InA₃，A為鹵素，選自F、Cl或Br。

所述的ITO-鹵化銦雙層導電膜的制備方法，優選：

所述步驟S1中，ITO陶瓷靶材中，In₂O₃質量百分含量為88％，SnO₂的質量百分含量為12％；所述ITO陶瓷靶材制備的燒結溫度為1250℃，所述鹵化銦陶瓷靶材制備的燒結溫度為750℃；

所述步驟S2中，真空腔體的真空度設置在5.0×10^-4Pa；