[發明專利]ITO-鹵化銦雙層導電膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210030181.3
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN103243296A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35;H05B33/10
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種ITO-鹵化銦雙層導電膜，其特征在于，該雙層導電膜包括ITO層和鹵化銦層；其中，ITO層中包括In₂O₃和SnO₂，且In₂O₃質量百分含量為80～97％，SnO₂的質量百分含量為3～20％；鹵化銦層的材質為鹵化銦，其化學式為InA3，A為鹵素，選自F、Cl或Br。

2.根據權利要求1所述的ITO-鹵化銦雙層導電膜，其特征在于，ITO層中，In₂O₃質量百分含量為88％，SnO₂的質量百分含量為12％。

3.根據權利要求1或2所述的ITO-鹵化銦雙層導電膜，其特征在于，所述ITO層的厚度為50～300nm，鹵化銦層的厚度為0.5～3nm。

4.根據權利要求3所述的ITO-鹵化銦雙層導電膜，其特征在于，所述ITO層的厚度為150nm，鹵化銦層的厚度為1nm。

5.一種ITO-鹵化銦雙層導電膜的制備方法，其特征在于，該制備方法的步驟如下：

S1、稱取In₂O₃和SnO₂粉體，經過均勻混合后，在900～1300℃下燒結處理，制得ITO陶瓷靶材；其中，ITO陶瓷靶材中，In₂O₃質量百分含量為80～97％，SnO₂的質量百分含量為3～20％；以及

將鹵化銦粉體置于600～950℃下燒結處理，制得鹵化銦陶瓷靶材；其中，鹵化銦的化學式為InA3，A為鹵素，選自F、Cl或Br；

S2，將步驟S1中得的ITO陶瓷靶材、鹵化銦陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體中，并將真空腔體的真空度設置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之間；

S3，調整磁控濺射鍍膜工藝參數為：基靶間距為45～95mm，磁控濺射工作壓強0.2～4Pa，氬氣工作氣體的流量為10～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃，濺射功率為30～150W；

S4、濺射鍍膜處理：首先濺射ITO陶瓷靶材，并在襯底表面沉積ITO層；接著濺射鹵化銦陶瓷靶材，在ITO層表面沉積鹵化銦層；濺射鍍膜處理完成后，制得ITO-鹵化銦雙層導電膜；該雙層導電膜包括ITO層和鹵化銦層中，在ITO層中，In₂O₃質量百分含量為80～97％，SnO₂的質量百分含量為3～20％；鹵化銦層的材質為鹵化銦，其化學式為InA₃，A為鹵素，選自F、Cl或Br。

6.根據權利要求5所述的ITO-鹵化銦雙層導電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，ITO陶瓷靶材中，In₂O₃質量百分含量為88％，SnO₂的質量百分含量為12％；所述ITO陶瓷靶材制備的燒結溫度為1250℃，所述鹵化銦陶瓷靶材制備的燒結溫度為750℃。

7.根據權利要求5所述的ITO-鹵化銦雙層導電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，真空腔體的真空度設置在5.0×10^-4Pa。

8.根據權利要求5所述的ITO-鹵化銦雙層導電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述基靶間距為60mm；所述磁控濺射工作壓強為2.0Pa；所述氬氣工作氣體的流量為25sccm；所述襯底溫度為500℃，所述濺射功率為100W。

9.根據權利要求5所述的ITO-鹵化銦雙層導電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述ITO層的厚度為50～300nm，鹵化銦層的厚度為0.5～3nm。

10.根據權利要求9所述的ITO-鹵化銦雙層導電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述ITO層的厚度為150nm，鹵化銦層的厚度為1nm。