[發明專利]制造應變源極/漏極結構的方法

有效

• 申請號: 201210029796.4
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN102637728A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 郭紫微;宋學昌;陳冠宇;林憲信
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種器件，包括：

襯底；

柵極結構，位于所述襯底上方，并且在所述襯底中限定出溝道區域；

以及外延epi應變器，位于所述襯底中，其間插入有所述溝道區域，其中，至少一個所述epi應變器包括：

輕摻雜源極/漏極LDD元件；

以及源極/漏極S/D元件，鄰近所述LDD部分。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述epi應變器的材料與所述襯底的材料不同。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述epi應變器包含硅和附加元素的組分，所述附加元素是鍺、錫、碳、或其組合。

4.根據權利要求1所述的器件，其中，所述epi應變器包含鍺硅SiGe，其中，Ge等于或者大于大約35at％。

5.根據權利要求1所述的器件，進一步包括：

緩沖器層，位于所述epi應變器下方。

6.根據權利要求5所述的器件，其中，所述緩沖器層包含硅和附加元素的組分，所述附加元素是鍺、錫、碳、或其組合。

7.根據權利要求5所述的器件，其中，所述緩沖器層包含鍺硅SiGe，其中，Ge等于或者小于大約25at％。

8.根據權利要求5所述的器件，其中，所述緩沖器層的厚度處于大約50埃到大約250埃的范圍內。

9.一種器件，包括：

襯底；

柵極結構，位于所述襯底上方，并且在所述襯底中限定出溝道區域；

柵極隔離件，位于所述柵極結構的相對側壁上；

輕摻雜源極/漏極LDD元件，位于所述襯底中，其間插入有所述溝道區域；

以及源極/漏極S/D元件，位于所述襯底中，其間插入有所述溝道區域，并且鄰近所述LDD元件，其中，所述S/D元件和所述LDD元件的材料相同，所述S/D元件和所述LDD元件所包含的摻雜劑的摻雜濃度相同；以及

接觸元件，位于所述S/D元件上方。

10.一種方法，包括：

在半導體襯底上方形成柵極結構，并且在半導體襯底中限定出溝道區域；

在所述柵極結構的相對側壁上形成隔離件；

在所述半導體襯底中形成溝槽，其間插入有所述溝道區域；

在所述溝槽中外延生長第一半導體層，其中，所述第一半導體層含有硅和附加元素的組分；

在所述第一半導體層上方和所述溝槽中外延生長第二半導體層，其中，所述第二半導體層形成LDD元件和S/D元件，并且含有硅和附加元素的組分；

以及在所述第二半導體層上方外延生長接觸元件，其中，所述接觸元件含有硅和附加元素的組分，所述第二半導體層中的附加元素的原子比大于所述第一半導體層和所述接觸元件中的附加元素的原子比。