[發(fā)明專利]畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210029635.5 | 申請日: | 2012-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN102543996A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳國偉;高金字 | 申請(專利權(quán))人: | 福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司: | 福州元創(chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學(xué)俊 |
| 地址: | 350015 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法,尤指一種可提升畫素開口率的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)
隨著液晶顯示技術(shù)不斷的提升,液晶顯示面板已廣泛地被應(yīng)用在平面電視、筆記型計算機(jī)、手機(jī)與各類型的消費型電子產(chǎn)品上。
一般的液晶顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)包括了畫素電極、薄膜晶體管以及交錯排列的閘極線與資料線。薄膜晶體管則包括閘極電極、半導(dǎo)體層、源極電極與汲極電極。由于一般的源極電極與汲極電極是由與資料線相同的非透明金屬材料所形成,故在薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計考量例如通道寬長比(channel?width?over?length)與線寬制程限制之下,薄膜晶體管在畫素結(jié)構(gòu)中的大小與設(shè)置位置都直接影響到畫素結(jié)構(gòu)中的可透光區(qū)域的大小。換句話說,畫素結(jié)構(gòu)的開口率(aperture?ratio)會因為非透明金屬材料所形成的源極電極與汲極電極的影響與限制而無法提升。因此,為了提升畫素結(jié)構(gòu)的開口率,以改善液晶面板的顯示質(zhì)量與降低背光源的耗電量,必須對畫素結(jié)構(gòu)的設(shè)計進(jìn)行改良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的之一在于提供一種畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法,利用歐姆接觸層于閘極線的兩相對的邊緣上分別形成非金屬源極圖案與汲極圖案,借以減少非透明電極圖案所占的區(qū)域,進(jìn)而達(dá)到提升畫素結(jié)構(gòu)的開口率的目的。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明的一較佳實施例提供一種畫素結(jié)構(gòu),包括一基板、一閘極線、一資料線、一半導(dǎo)體圖案、一非金屬源極圖案、一非金屬汲極圖案以及一畫素電極。閘極線與資料線是設(shè)置于基板上。半導(dǎo)體圖案是設(shè)置于閘極在線,且半導(dǎo)體圖案是于一垂直投影方向上與閘極線的兩相對的邊緣重疊。非金屬源極圖案與非金屬汲極圖案是設(shè)置于半導(dǎo)體圖案上,且非金屬源極圖案與非金屬汲極圖案是分別設(shè)置于閘極線的兩相對的邊緣上。非金屬源極圖案是部分設(shè)置于資料線與閘極線之間以與資料線電性連結(jié)。畫素電極是設(shè)置于基板上,且畫素電極是與非金屬汲極圖案電性連結(jié)。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明的另一較佳實施例提供一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法,包括下列步驟:提供一基板;在基板上形成一閘極線,并在閘極在線形成一閘極介電層;在閘極介電層上依序形成一半導(dǎo)體層以及一歐姆接觸層,并對半導(dǎo)體層進(jìn)行一圖案化制程,以形成一半導(dǎo)體圖案;半導(dǎo)體圖案是于一垂直投影方向上與閘極線的兩相對的邊緣重疊;在歐姆接觸層與閘極介電層上形成一資料線,且資料線是與閘極線于垂直投影方向上部分重疊;對歐姆接觸層進(jìn)行一蝕刻制程,以于閘極線的兩相對的邊緣上分別形成一非金屬源極圖案與一非金屬汲極圖案;在基板上形成一畫素電極,且畫素電極是與非金屬汲極圖案電性連結(jié)。
附圖說明
圖1至圖4繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。
圖5至圖8繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。
圖9與圖10繪示了本發(fā)明的第三較佳實施例的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖中:100畫素結(jié)構(gòu),110基板,120閘極線,120A上表面,130閘極介電層,140半導(dǎo)體層,141半導(dǎo)體圖案,150歐姆接觸層150D非金屬汲極圖案,150S非金屬源極圖案,161資料線,162導(dǎo)電圖案,170?保護(hù)層,170V接觸開口,180畫素電極,200畫素結(jié)構(gòu),240半導(dǎo)體層,241半導(dǎo)體圖案,250歐姆接觸層,250D非金屬汲極圖案,250S非金屬源極圖案,300畫素結(jié)構(gòu),370保護(hù)層,370V接觸開口,380畫素電極,S邊緣,Z垂直投影方向。
具體實施方式
在本說明書及后續(xù)的申請專利范圍當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。所屬領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可理解,制作商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及后續(xù)的申請專利范圍并不以名稱的差異來作為區(qū)別元件的方式,而是以元件在功能上的差異來作為區(qū)別的基準(zhǔn)。在通篇說明書及后續(xù)的請求項當(dāng)中所提及的「包括」為一開放式的用語,故應(yīng)解釋成「包括但不限定于」。再者,為使熟習(xí)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明,下文特列舉本發(fā)明的數(shù)個較佳實施例,并配合所附圖式,詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容。需注意的是圖式僅以說明為目的,并未依照原尺寸作圖。此外,在文中使用例如”第一”與”第二”等敘述,僅用以區(qū)別不同的元件,并不對其產(chǎn)生順序的限制。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司,未經(jīng)福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210029635.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





